[实用新型]一种像素电路和显示装置有效

专利信息
申请号: 201420152600.5 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN203760050U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 段立业;吴仲远;王俪蓉;曹昆 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 电路 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电路和显示装置。

背景技术

目前,AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体面板)使用TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)驱动OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)发光。

现有技术中,AMOLED像素电路通常采用2T1C电路,该2T1C电路包括两个TFT和一个电容。在该2T1C电路中,流经OLED的电流IOLED通过如下公式计算:

IOLED=12μn·Cox·WL·(Vdata-Voled-Vthn)2]]>

其中μn为载流子迁移率,COX为栅氧化层电容,W/L为晶体管宽长比,Vdata为数据电压,Voled为OLED的工作电压,为所有像素单元共享,Vthn为晶体管的阈值电压,对于增强型TFT,Vthn为正值,对于耗尽型TFT,Vthn为负值。

但是由于晶化工艺和制作水平的限制,导致在大面积玻璃基板上制作的TFT开关电路常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上出现非均匀性,从而使得各个TFT的阈值电压偏移不一致,则由上式可知,如果不同像素单元之间的Vthn不同,流经不同OLED的电流存在差异。如果像素的Vthn随时间发生漂移,则可能造成先后流经同一个OLED的电流不同,导致残影,且由于OLED器件非均匀性引起OLED工作电压不同,也会导致电流差异,从而造成了AMOLED显示亮度的差异。

实用新型内容

本实用新型提供一种像素电路及显示装置,可以有效地补偿TFT的阈值电压漂移,提高显示装置发光亮度的均匀性,提升显示效果。

为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:

本实用新型实施例的第一方面,提供一种像素电路,包括:

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容以及发光器件;

所述第一晶体管的栅极连接第一控制信号端,其第一极连接数据信号端;

所述第二晶体管的栅极连接所述第一晶体管的第二极,其第一极连接所述第三晶体管的第二极,其第二极连接所述发光器件的第一端;

所述第三晶体管的栅极连接第二控制信号端,其第一极连接第一电源信号端;

所述存储电容的一端连接所述第二晶体管的栅极,其另一端连接所述第二晶体管的第二极;

所述发光器件形成的寄生电容的一端连接所述发光器件的第一端,其另一端连接所述发光器件的第二端;

所述发光器件的第二端还连接第二电源信号端。

在第一方面的第一种可能的实现方式中,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为N型晶体管;

所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的第一极均为漏级,第二极均为源级,所述发光器件的第一端为所述发光器件的阳极,所述发光器件的第二端为所述发光器件的阴极。

结合第一种可能的实现方式,在第二种可能的实现方式中,所述晶体管包括耗尽型TFT或增强型TFT。

结合第一方面或者第二种可能的实现方式,在第三种可能的实现方式中,所述发光器件为有机发光二极管。

第二方面,本实用新型实施例还提供一种显示装置,包括如上所述的像素电路。

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