[实用新型]复合氧化锆通气高性能承烧装置有效

专利信息
申请号: 201420149015.X 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN203754613U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 梁国庆;梁坤;霍天才 申请(专利权)人: 焦作市科力达科技有限公司
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 代理人: 陈大通
地址: 454150 *** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 复合 氧化锆 通气 性能 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种承烧板,尤其是一种复合氧化锆通气高性能承烧装置。

背景技术

在电子生产领域,常常会遇到需要烧制电子元件的情况,这类电子元件的烧制需要放置在特殊耐高温的承烧板上来完成烧制,目前的承烧板大多也采用氧化锆承烧板,例如中国专利:200820087600.6一种氧化锆承烧板,这种承烧板在烧制过程中,电子元件外围受热很高,底部与承烧板接触处温度相对较低,受热不均匀,直接影响电子元件的质量,另外,在烧制结束的时候,这种结构会造成散热缓慢,需要等很久才能使承烧板温度降到能够下料,直接影响电子元件的烧制效率。

发明内容

本实用新型的发明目的在于克服现有技术存在的不足,实现一种受热均匀,烧制效率高的复合氧化锆通气高性能承烧装置。

为实现上述发明目的,本实用新型的技术方案是:一种复合氧化锆通气高性能承烧装置,包括氧化铝壳体和氧化硅内衬,所述氧化硅内衬固定于氧化铝壳体内侧,所述氧化铝壳体和氧化硅内衬均为底面敞口且两端壁底部均布开有排热槽的六面体结构,所述氧化铝壳体和氧化硅内衬侧壁上的对应位置分别开设有连通氧化硅内衬内部和氧化铝壳体外部的对流孔;所述氧化铝壳体的顶部设置有氧化锆复合层,所述氧化锆复合层的顶部外表面上均布设置有凸块,这样设置的目的在于使电子元件受热更加均匀。

所述排热槽横截面的形状为三角形或者四边形或者半圆形。

所述对流孔横截面的形状为四边形或者圆形。

所述凸块为棱柱或者半圆柱或者单独的半圆球体。

本实用新型的有益效果:

1.本实用新型的复合氧化锆通气高性能承烧装置,底面敞口且两端壁底部均匀开有排热槽,所述氧化铝壳体和氧化硅内衬侧壁上的对应位置分别开设有对流孔,这样就能使空气在承烧装置中形成对流,烧制过程中,更有利于热量的均匀分布,在烧制结束后又能加速城烧装置的冷却,大大提高了承烧装置的烧制质量和烧制效率。

2.本实用新型的复合氧化锆通气高性能承烧装置,顶部设置有氧化锆复合层,所述氧化锆复合层的顶部外表面上均布设置有凸块,在烧制过程中电子元件支撑为点接触,电子元件的受热均匀度大大提高,直接提高了烧制的电子元件的质量,这样的凸块设计同样可以在烧制结束的时候加速冷却,缩短烧制时间。

附图说明

图1是复合氧化锆通气高性能承烧装置实施例1的结构示意图;

图2是图1的左视结构示意图;

图3是复合氧化锆通气高性能承烧装置实施例2的结构示意图。

参见图1-图3:1-氧化铝壳体,2-氧化硅内衬,3-排热槽,4-对流孔,5-氧化锆复合层,6-凸块。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体的实施方式对本实用新型的复合氧化锆通气高性能承烧装置做更加详细的描述。

实施例1:

本实用新型的复合氧化锆通气高性能承烧装置,包括氧化铝壳体1和氧化硅内衬2,所述氧化硅内衬2固定于氧化铝壳体1内侧,所述氧化铝壳体1和氧化硅内衬2均为底面敞口且两端壁底部均布开有排热槽3的六面体结构,所述氧化铝壳体1和氧化硅内衬2侧壁上的对应位置分别开设有连通氧化硅内衬2内部和氧化铝壳体1外部的对流孔4;所述氧化铝壳体1的顶部设置有氧化锆复合层5,所述氧化锆复合层5的顶部外表面上均布设置有凸块6。

所述排热槽3横截面的形状为等腰梯形,所述排热槽3在承烧装置的端面底部水平均布排列。

所述对流孔4横截面的形状为矩形。

所述凸块6为在氧化锆复合层5顶部外表面上均布排列的棱柱。

实施例2:

相同的不重述,不同的是:所述排热槽3横截面的形状为半圆形,所述排热槽3在承烧装置的端面底部水平均布排列。

所述凸块6为在氧化锆复合层5顶部外表面上均布排列的半圆柱。

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