[实用新型]一种低压降低功耗电源保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域，具体涉及一种低压降低功耗电源保护电路。 

背景技术

在各类电子产品中，经常会遇到电源极性反接、输入电压过高或过低、后级短路等原因导致过流的情况，各种情况均有可能导致产品不可恢复的损坏，此时就需要一种可靠的电源保护电路来保障产品的安全。而随着电子产品工作电压、功耗等越来越低的趋势，尤其在采用电池供电的产品中，保护电路造成的链路压降大小以及本身功耗的大小成为衡量保护电路设计是否合理的重要指标。 

目前常见的电源保护电路中，通常采用二极管的单向导电性来防止反接，对于过压过流保护通常采用保险丝或者其它电路来实现，这种电路实现较复杂，往往会带来保护不全面、电源链路压降增加、功耗增加等弊端，造成产品成本增加、设计达不到指标要求等后果。 

实用新型内容

为克服上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于能提供防止极性反接、输入过压或者欠压、过流等全保护，且具有实现简单、压降低、功耗低、响应及时等功效的一种低压降低功耗电源保护电路。 

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是：一种低压降低功耗电源保护电路，该电路由MOS管Q1，MOS管Q2、瞬态抑制二极管D1、稳压二极管D2、电源保护芯片U1以及若干电阻和电容组成，其中Vin为输入电压，是产品电源输入接口，Vout为保护电路输出电压，瞬态抑制二极管D1并联于电源输入的最前级，电源经过二极管D1的浪涌保护后连接到MOS管Q1的D级，MOS管Q1的G级连接电阻R1到电源负极，同时连接二极管D2的正极到电源的正极，MOS管Q1、电阻R1和稳压二极管D2组成防电源极性反接的电路，经过MOS管Q1的S级输出的电源正极连接到MOS管Q2的D级，MOS管Q2的G级连接到电源保护芯片U1的10脚，电阻R2、电阻R3、电阻R4串联之后连接于电源的正负极之间，并分别连接到电源保护芯片U1的3脚和4脚，电容C1和电容C2并联连接，电阻R5连接电源正极和电源保护芯片U1的5脚，电源保护芯片U1的2脚直接连接到电源正极，电阻R6、电阻R7、电阻R8分别连接电源正极到电源保护芯片U1的1脚、9脚、8脚，电容C3连接于电源保护芯片U1的6脚和7脚之间。 

本实用新型采用上述技术方案的有益效果是：本实用新型产品能提供的一种低压降低功耗电源保护电路，在电源链路上，只有两个MOS管Q1和Q2，没有传统保护电路的二极管、采样电路、保险丝等诸多器件。通常MOS管的导通电阻在毫欧级别，约为几个毫欧，由此导 通电阻造成的链路压降约为几个毫伏，基本可以忽略不计，因此特别适用于电池供电、工作电压低的电子产品中。在正常工作情况下，D1、D2均处于截止状态，没有电流消耗。U1本身采用低功耗芯片，并且工作在触发唤醒模式，正常情况下处于休眠状态，功耗仅为微安级，当有电源异常发生，由异常检测引脚触发工作，工作电流几个毫安，恢复正常后自行进入休眠状态。电阻R1、R2和R3可以选择兆欧级的电阻，功耗也在微安级别。 

附图说明

图1为本实用新型的电路图。 

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明，但不构成对本实用新型的任何限制。 

如图1所示中，一种低压降低功耗电源保护电路，该电路由MOS管Q1，MOS管Q2、瞬态抑制二极管D1、稳压二极管D2、电源保护芯片U1以及若干电阻和电容组成， 

其中Vin为输入电压，是产品电源输入接口，Vout为保护电路输出电压，提供产品后级电源。 

瞬态抑制二极管D1并联于电源输入的最前级，电源经过瞬态抑制二极管D1的浪涌保护后连接到MOS管Q1的D级，由MOS管Q1的S级输出，MOS管Q1的G级连接电阻R1到电源负极，同时连接稳压二极管D2的正极到电源的正极，MOS管Q1、电阻R1和稳压二极管D2组成防电源极性反接的电路。 

经过MOS管Q1的S级输出的电源正极连接到MOS管Q2的D级，由MOS管Q2的S级输出给后级电路使用，MOS管Q2的G级连接到电源保护芯片U1的10脚，由电源保护芯片U1发出信号控制MOS管Q2的导通与截止起到过压和欠压保护功能。 

电阻R2、电阻R3、电阻R4串联之后连接于电源的正负极之间，这3个电阻设置过压、欠压保护点的阈值，分别连接到电源保护芯片U1的3脚和4脚，并联的电容C1和电容C2为消除电源干扰，避免保护异常。