[实用新型]源与多谐振器耦合的基片集成波导滤波器

权利要求书

1.一种源与多谐振器耦合的基片集成波导滤波器，包括上下表面均设有金属层的介质基片，其特征在于：所述介质基片为长方形，上部设有第一波导腔体，下部从左到右依次设有一代表源的基片集成波导和第二波导腔体，所述第一波导腔体和第二波导腔体均工作在TE101模式，所述第一波导腔体与基片集成波导间设有第一金属柱感性窗、与第二波导腔体间设有第二金属柱感性窗，所述基片集成波导和第二波导腔体间设有第三金属柱感性窗，且第三金属柱感性窗内设有交指型槽结构，基片集成波导和第二波导腔体相互远离的一端分别设有共面波导输入端和共面波导输出端。

2.根据权利要求1所述的源与多谐振器耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于：所述基片集成波导、第一波导腔体和第二波导腔体均由贯穿金属层和介质基片的金属化通孔阵列构成。

3.根据权利要求1所述的源与多谐振器耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于：所述介质基片为Rogers5880，介电常数为2.2，厚0.5 mm。

4.根据权利要求2所述的源与多谐振器耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于：所述的金属化通孔阵列中，通孔的直径为0.5 mm，相邻通孔间的间距为1 mm。