[实用新型]一种金平板电极有效
申请号: | 201420081510.1 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN203849199U | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 曹忠;朱爽丽;何婧琳;伍娉;曹婷婷;肖忠良 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410004 湖南省长沙市雨花区万家*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平板 电极 | ||
1.一种金平板电极,其特征在于该电极包括覆盖有一层纳米级厚度工作金膜(2)和引脚金膜(3)的基片(1),该引脚金膜(3)与外包有塑料绝缘层(4)的金属丝导线(5)通过焊锡(6)相连接,连接处用环氧树脂胶(7)包裹密封。
2.根据权利要求1所述的金平板电极,其特征在于所述基片(1)的形状为长方形,长为3~18mm,宽为2~12mm,其四周边缘均用环氧树脂胶密封;工作金膜(2)的形状为正方形,边长为2~12mm;引脚金膜(3)的形状为小长方形,长为1~6mm,宽为1~4mm。
3.根据权利要求1所述的金平板电极,其特征在于所述金属丝导线(5)的材料为铜丝、铝丝或银丝。
4.根据权利要求1所述的金平板电极,其特征在于所述基片(1)的结构是:在抛光的氮化硅基板(11)表面上逐步沉积二氧化硅膜层(12)、金属铬膜层(13)、铜镍合金膜层(14);铜镍合金膜层(14)经抛光处理后,再在其表面上沉积工作金膜(2)和引脚金膜(3)。
5.根据权利要求4所述的金平板电极,其特征是:在抛光的氮化硅基板(11)表面上逐步沉积的二氧化硅膜层(12)的厚度为60~400nm,金属铬膜层(13)的厚度为20~100nm,铜镍合金膜层(14)的厚度为60~400nm。
6.根据权利要求4所述的金平板电极,其特征是:铜镍合金膜层(14)经抛光处理后,在其表面上所沉积工作金膜(2)和引脚金膜(3)的厚度为20~400nm。
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