[实用新型]一种用于光耦合器的光检测驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光检测驱动电路，特别是适用于光耦合器的光检测驱动电路。 

背景技术

光电耦合器是一种把红外发光器件和红外接收器件以及信号处理电路(红外接收器件以及信号处理电路组成了光检测电路)等封装在同一管座内的器件。输入电信号加到输入端发光器件发光二极管上，发光二极管发光，光接收器件接受光信号并转换成电信号，然后将电信号直接输出，或者将电信号放大处理成标准数字电平输出，这样就实现了“电-光-电”的转换及输出，光是传输的媒介，因而输入端与输出端在电气上是绝缘的，即所谓的电隔离。 

光检测电路主要由光电探测器(通常为光电二极管)与晶体管放大电路组成，它将光路传来的微弱光信号经探测器转换成电信号并经放大器放大、处理后输出。现有技术中的光检测电路主要存在以下缺陷：(1)晶体管放大电路(也即是前置放大电路部分)采用高阻放大器，高阻放大器采用大的负载电阻来获得高灵敏度和低噪声，但带宽和动态范围不够理想，难以满足光耦器件高速、高灵敏度、大范围逻辑电平输出的应用需求；(2)缺少适合的功率驱动电路结构，难以实现良好的驱动功能。 

实用新型内容

针对上述问题和不足，本实用新型所要解决的技术问题是：怎样提供一种低噪声、高增益、带宽适当、动态输入范围较大并且具有良好功率驱动性能的用于光耦合器的光检测驱动电路。 

为了解决上述问题，本实用新型采用了以下的技术方案。 

一种用于光耦合器的光检测驱动电路，主要由光电二极管、前置放大器和功率驱动电路组成，其特征在于：一种用于光耦合器的光检测驱动电路，主要由光电二极管、前置放大器和功率驱动电路组成，其特征在于：所述前置放大器包括第一检测晶体管Q1和第二检测晶体管Q2，所述第一检测晶体管Q1和第二检测晶体管Q2均为NPN型晶体管；第一检测晶体管Q1的集电极通过第二电阻R2与供电电源VCC相连，第一检测晶体管Q1的集电极和基极之间接有第一电阻R1，第一检测晶体管Q1的发射极接地，第一检测晶体管 Q1的基极是前置放大器的输入端，前置放大器的输入端与光电二极管的阳极相连，光电二极管的阴极接地；第二检测晶体管Q2的基极与第一检测晶体管Q1的集电极相连，第二检测晶体管Q2的集电极与供电电源VCC相连，第二检测晶体管Q2的发射极通过第三电阻R3与地相连，第二检测晶体管Q2的发射极是前置放大器的输出端，前置放大器的输出端与功率驱动电路的输入端相连。 

其中，所述功率驱动电路包括第一驱动晶体管M1、第二驱动晶体管M2、和第三驱动晶体管M3，第一驱动晶体管M1、第二驱动晶体管M2、和第三驱动晶体管M3均为NPN型晶体管；第一驱动晶体管M1的基极是功率驱动电路的输入端，第一驱动晶体管M1的集电极通过第四电阻R4与供电电源VCC相连，第一驱动晶体管M1的发射极通过第六电阻R6与地相连；第二驱动晶体管M2的基极与第一驱动晶体管M1的集电极相连，第二驱动晶体管M2的集电极通过第五电阻R5与供电电源VCC相连，第二驱动晶体管M1的发射极与第一二极管D1的阳极相连，第一二极管D1的阴极与第三驱动晶体管M3的集电极相连，第一二极管D1的阴极是功率驱动电路的输出端；第三驱动晶体管M3的基极与第一驱动晶体管M1的发射极相连，第三驱动晶体管M3的基极还通过第六电阻R6接地，第三驱动晶体管M3的发射极接地。 

相比现有技术，本实用新型具有如下优点： 

本实用新型的前置放大电路部分基于跨阻放大器结构进行设计，由于：跨阻放大器电路的时间常数小，能有效地减小波形失真；跨阻放大器动态范围大，输出电阻小；跨阻放大器的反馈电阻可以控制放大器的输入和输出阻抗，因而可以利用这一点进行输入和输出之间的阻抗匹配，以减少电压驻波比，使得增益在整个频带内变化很小。因此与采用高阻放大器结构的电路相比本实用新型具有低噪声、高增益、带宽适当、动态输入范围较大的优点。此外本实用新型设置了适用于光耦合器件功率驱动电路结构，因此具有良好功率驱动性能。 

附图说明

图1为本实用新型电路原理图； 

图2为本实用新型中前置放大器电路结构图； 

图3为本实用新型中功率驱动电路结构图。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。