[发明专利]用于底层的芳族树脂

说明书

技术领域

本发明通常涉及制造电子器件领域，并且更具体地涉及用于半导体制造的材料领域。

背景技术

众所周知在光刻方法中，如果抗蚀图案太高(高长径比)，由于来自所使用的显影剂的表面张力，抗蚀图案可塌陷。已经设计出多层抗蚀方法(例如三层和四层方法)，其可以处理高长径比为所需时的该图案塌陷问题。这些多层方法使用抗蚀顶层、一个或多个中间层和底部层(或底层)。在这些多层抗蚀方法中，图像化顶光致抗蚀剂层并且以典型的方式显影以提供抗蚀图案。随后通常通过蚀刻将图案转移至一个或多个中间层。选择每一个中间层使得使用不同的蚀刻方法，例如不同的等离子蚀刻。最后，通常通过蚀刻将图案转移至底层。这些中间层可以由不同的材料组成，而底层材料通常由高碳含量的材料组成。选择底层材料以提供所需的抗反射性能、平面化性能以及蚀刻选择性。

已经作出了许多尝试以开发拥有所需的抗反射性能和蚀刻选择性并且适用于这些多层方法的底层材料。蚀刻选择性的一个特征是有机材料对于等离子蚀刻的蚀刻抗性。在工业中开发与常规材料相比具有改善的蚀刻抗性的底层材料通常是理想的。韩国专利申请No.2010080139A公开了在甲苯(非极性溶剂)中由芘醇化合物的自缩合形成的某些芳族聚合物。这种芳族聚合物未显示出所需的蚀刻选择性，即蚀刻抗性。美国公开的专利申请No.2010/0021830公开了某些含芘的芳族聚合物，但未公开聚合物主链侧基具有某些稠合芳环基团的聚合物。对于拥有理想的抗反射性能和改善的蚀刻选择性，特别是对于O₂和CF₄等离子体改善的蚀刻抗性的底层材料仍然存在需求。

发明内容

本发明提供了一种由包含一种或多种式(I)的第一单体和一种或多种式Ar-CHO的第二单体的组合形成的反应产物

其中Y选自H、C₁-C₃₀烷基、C₂-C₃₀烯基、C₇-C₃₀芳烷基、C₆-C₃₀芳基、取代的C₆-C₃₀芳基、-C₁-C₃₀亚烷基-OR¹和-C₁-C₃₀次烷基-OR¹，每一个R独立地选自C₁-C₃₀烷基、C₂-C₃₀烯基、C₇-C₃₀芳烷基、C₆-C₃₀芳基、取代的C₆-C₃₀芳基、-OR¹、-C₁-C₃₀亚烷基-OR¹和-C₁-C₃₀次烷基-OR¹；R¹选自H、C₁-C₃₀烷基、C₆-C₃₀芳基、取代的C₆-C₃₀芳基和C₇-C₃₀芳烷基；和n是选自0-7的整数；

其中Ar是具有至少2个稠合芳环的C₁₀-C₃₀的芳族基团，其可以任选地被C₁-C₃₀烷基、C₂-C₃₀烯基、C₇-C₃₀芳烷基、C₆-C₃₀芳基、取代的C₆-C₃₀芳基、-OR³、-C₁-C₃₀亚烷基-OR³和-C₁-C₃₀次烷基OR³的一种或多种取代；R³选自H、C₁-C₃₀烷基和C₆-C₃₀芳基。