[发明专利]一种连续式真空离子镀膜机在审
申请号: | 201410823619.2 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104404474A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 关秉羽 | 申请(专利权)人: | 辽宁北宇真空科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/35 |
代理公司: | 铁岭天工专利商标事务所 21105 | 代理人: | 靳万清 |
地址: | 112600 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 连续 真空 离子 镀膜 | ||
1.一种连续式真空离子镀膜机,其特征在于:具有箱式真空镀膜室(1),箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构(2)和基膜收卷纠偏机构(3),箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶(4),其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶(41)、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶(42),相邻排平面磁控溅射靶(4)之间形成有镀膜通道(5),所述多排平面磁控溅射靶(4)的前、后两侧分别设有水冷托板(6),水冷托板(6)的外侧设有传动辊(7),传动辊(7)位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置;所述基膜放卷机构(2)装设的基膜绕经所述传动辊(7)后从所述的镀膜通道(5)通过并由所述基膜收卷纠偏机构(3)进行纠偏后收卷。
2.如权利要求1所述的连续式真空离子镀膜机,其特征在于:所述单面溅射平面磁控溅射靶(41)包括平面磁控溅射靶本体(410)和装于平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩(411),平面磁控溅射靶本体(410)具有靶体(412),靶体上装有磁靴(413),在磁靴(413)的一侧均布装有多排第一永久磁体(414)、多排第一永久磁体的外侧与所述屏蔽罩(411)之间依序装有第一靶材隔水板(415)和第一靶材(416),所述双面溅射平面磁控溅射靶(42)包括所述的平面磁控溅射靶本体(410)和装于该平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩(411),在所述磁靴(413)相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体(424),多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩(411)之间依序装有第二靶材隔水板(425)和第二靶材(426)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辽宁北宇真空科技有限公司,未经辽宁北宇真空科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410823619.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类