[发明专利]永磁材料磁通温度稳定性测量装置及方法在审

专利信息
申请号: 201410820467.0 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN105785291A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 金国顺;王进东;杨小军;饶晓雷;孙其会;王滢 申请(专利权)人: 北京中科三环高技术股份有限公司
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 代理人: 陈立航
地址: 100190 北京市海淀区中*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 永磁 材料 温度 稳定性 测量 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种永磁材料磁通温度稳定性测量装置,包括:

加热箱体(1),用于对测试样品(4)进行加热;

磁屏蔽(2),位于所述加热箱体的内部,用于将所述磁屏蔽内部 的测试样品与所述磁屏蔽外部隔绝;以及

磁通测量线圈(3),位于所述磁屏蔽的内部。

2.根据权利要求1所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,还包括气流循环部(12),所述气流循环部位于所述加 热箱体的外部,与所述加热箱体的内部流体连通。

3.根据权利要求1所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,还包括温度传感器(5),所述温度传感器位于所述磁通 测量线圈的内部。

4.根据权利要求3所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,还包括测温控温部(9),所述测温控温部位于所述加热 箱体的外部,与所述温度传感器一起对所述加热箱体内部的温度进行 控制。

5.根据权利要求1所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,所述磁屏蔽呈相对于测试样品对称的形状,测试样品位 于所述磁屏蔽的中心位置。

6.根据权利要求1所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,所述磁屏蔽由隔热材料安装在所述加热箱体内。

7.根据权利要求1所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,所述磁屏蔽的周面上具有通风孔。

8.根据权利要求1所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,所述磁通测量线圈是亥姆赫兹线圈,测试样品位于所述 亥姆赫兹线圈的中心位置。

9.根据权利要求1所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,还包括磁通积分器(10),位于所述加热箱体的外部, 用于测量测试样品的磁通或磁偶极矩。

10.根据权利要求9所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置, 其特征在于,测量所述磁通测量线圈在不同温度下的电阻值,并且根 据测量结果对不同温度下测量得到的磁通值进行修正。

11.一种永磁材料磁通温度稳定性测量方法,使用根据权利要求 1~10中任一项所述的永磁材料磁通温度稳定性测量装置进行测量, 包括:

步骤1:测量测试样品在第一温度(T1)时的磁通或磁偶极矩 j1

步骤2:使测试样品升温到第二温度(T2),测量测试样品在第二 温度时的磁通或磁偶极矩j2

步骤3:使测试样品升温到第三温度(T3),测量测试样品在第三 温度时的磁通或磁偶极矩j3

步骤4:使测试样品降温到第二温度,再次测量测试样品在第二 温度时的磁通或磁偶极矩j2′;

步骤5:使测试样品降温到第一温度,再次测量测试样品在第一 温度时的磁通或磁偶极矩j1′;

由所述步骤1~所述步骤5的测量结果,计算永磁材料的磁通温 度稳定性参数。

12.根据权利要求11所述的永磁材料磁通温度稳定性测量方法, 其特征在于,在所述步骤2和所述步骤3升温时,先快速升温,然后 慢速升温,从而避免温度过冲。

13.根据权利要求11所述的永磁材料温度磁通稳定性测量方法, 其特征在于,使用下式计算样品由第一温度(T1)升至第三温度(T3) 的磁通不可逆温度损失百分比δ1

δ1=[(j1-j1′)/j1]×100%。

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