[发明专利]用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法

权利要求书

1.一种用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法；包括以下步骤：

取精磨后的压电复合材料，沿其横向切割出M行凹形槽，并在凹形槽内添加去耦材料；再沿其纵向切割出N列凹形槽，并在凹形槽内添加去耦材料；其中，M行凹形槽和N列凹形槽的朝向一致；

将切割后的压电复合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽体均磨去，使其露出添加的去耦材料，形成M*N压电复合材料阵列；

将所述M*N压电复合材料阵列溅射电极层，去除所述M*N压电复合材料阵列沿厚度方向的第一长侧面、第二长侧面上的电极层；所述第一长侧面、所述第二长侧面沿所述M*N压电复合材料阵列的横向延伸；

将所述M*N压电复合材料阵列的第一正面沿N列凹形槽去除电极层，保留所述第一正面纵向边缘的电极层且沿M行凹形槽切除横向的电极层；

将所述M*N压电复合材料阵列的第一短侧面、第二短侧面、第二正面沿M行凹形槽去除电极层；

将所述M*N压电复合材料阵列的第二正面依次粘接第一匹配层、第二匹配层及声透镜；

将柔性电路板分别接所述M*N压电复合材料阵列的M行电极层和N列电极层；

将背衬层与连接柔性电路板后的所述M*N压电复合材料阵列的电极层粘接，从而形成超声面阵探头；

还包括将连接柔性电路板和粘接背衬层、第一匹配层、第二匹配层及声透镜后的所述M*N压电复合材料阵列使用外壳封装。

2.根据权利要求1所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法，其特征在于，在所述取精磨后的压电复合材料的步骤之前包括：

将压电复合材料精磨至其厚度达到预设尺寸。

3.根据权利要求1所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法，其特征在于，所述将切割后的压电复合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽体均磨去，使其露出添加的去耦材料的步骤包括：

将所述M*N压电复合材料阵列表面进行精磨，去除M行凹形槽和N列凹形槽的槽体，使M*N压电复合材料阵列厚度达到预设厚度。

4.根据权利要求1所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法，其特征在于，所述将柔性电路板分别接所述M*N压电复合材料阵列的M行电极层和N列电极层的步骤包括：

将所述M*N压电复合材料阵列M行电极层与第一柔性电路板连接，将所述M*N压电复合材料阵列的N列电极层与第二柔性电路板连接。

5.根据权利要求4所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法，其特征在于，所述M*N压电复合材料阵列第一正面一短边的M行电极层接所述第一柔性电路板；所述M*N压电复合材料阵列第一正面一长边的N列电极层接所述第二柔性电路板。

6.根据权利要求4所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法，其特征在于，所述M*N压电复合材料阵列第一正面两相对短边的M行电极层均分别接所述第一柔性电路板；所述M*N压电复合材料阵列第一正面两相对长边的N列电极层均分别接所述第二柔性电路板。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法，其特征在于，所述柔性电路板为镂空柔性电路板。

8.一种采用如权利要求1-7任意一项所述的制备方法制备的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头，其特征在于，包括声透镜、第一匹配层、第二匹配层及背衬层。

9.根据权利要求8所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头，其特征在于，所述柔性电路板为镂空柔性电路板。