[发明专利]一种用于EPON/OLT中的三网融合光路结构在审
| 申请号： | 201410727455.3 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105635860A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 谭澍;周权 | 申请（专利权）人： | 北京蓝山科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04Q11/00 | 分类号： | H04Q11/00;H04L12/26;H04L12/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 epon olt 中的 融合 结构 | ||
1.一种用于EPON/OLT中的三网融合光路结构，包括Triplexer、 发射单元、接收单元和监控单元，其特征在于：
所述Triplexer包括两个激光器和一个探测器；
所述发射单元用于将1G和10G电信号转化为光信号；
所述接收单元包括跨阻放大器、雪崩光电二极管和限幅放大器；
所述监控单元用于实时检测光路结构的工作状态。
2.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：所述Triplexer中发射的光和接收的光通过波分复用器 集成到光器件中，实现单纤双向传输。
3.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：所述激光器通过数字APC电路，在闭环状态下保持光功 率的稳定。
4.根据权利要求3所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：MCU控制模块控制调制电流的大小，进而得到系统所需 要的消光比。
5.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：所述限幅放大器的速率分别为1.25和10.3125 Gbit/s。
6.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：所述MCU控制模块电连接到数字APC，数字APC电连接 到10G激光器驱动。
7.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：所述10G激光器驱动连接到10G激光器，MCU控制模块 电连接1G激光器驱动和高压电路。
8.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：所述1G激光器驱动连接到1G激光器，所述高压电路电 连接到探测器APD和TIA。
9.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结构， 其特征在于：所述探测器APD和TIA电连接到10G限幅放大器和1G 限幅放大器，TEC电路电连接背光探测器MPD，且TEC电路连接10G 激光器，背光探测器MPD连接1G激光器，10G激光器和1G激光器连 接到WDM波分复用器，并与外围光纤连接。
10.根据权利要求1所述的用于EPON/OLT中的三网融合光路结 构，其特征在于：所述10G限幅放大器和1G限幅放大器分别与10GRD 输出和1GRD输出连接，SDA与MCU控制模块双向连接，SCL连接到 MCU控制模块，10GTD连接到10G激光器驱动，1GTD连接到1G激 光器驱动。
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