[发明专利]红外线检测器、红外线检测方法和电子设备

权利要求书

1.一种红外线检测器，其包括：

源极区域和漏极区域，它们两者被形成于半导体基板上；

红外线吸收膜，它作为栅极绝缘膜被形成于所述半导体基板上；以及

栅极电极，它被形成于所述栅极绝缘膜上且由针对红外线呈透明的电极形成，

其中，当将预定电压施加至所述栅极电极时，预定电流在所述源极区域与所述漏极区域之间流动，

其中，所述红外线吸收膜包括介电常数随温度变化的材料。

2.如权利要求1所述的红外线检测器，其中，所述红外线吸收膜的因温度上升而引起的介电常数的变化作为栅极电容变化而被检测出来，所述温度上升是伴随着所述红外线吸收膜对红外线的吸收而发生的。

3.如权利要求2所述的红外线检测器，其中，所述栅极电容变化是作为漏极电流变化而被检测出来的。

4.如权利要求1所述的红外线检测器，其中，所述栅极电极是利用石墨烯而被形成的。

5.如权利要求1所述的红外线检测器，其中，所述红外线吸收膜的介电常数的温度系数是正值。

6.如权利要求1所述的红外线检测器，其中，沟道宽度和沟道长度具有与待检测的红外线的波长对应的长度。

7.如权利要求1所述的红外线检测器，其中，多个所述红外线检测器以二维阵列形状而被布置着。

8.如权利要求7所述的红外线检测器，其中，在相邻的所述红外线检测器之间形成有凹槽。

9.如权利要求1至8中任一项所述的红外线检测器，其中，穿过截止滤光器的光入射到所述红外线吸收膜上，所述截止滤光器被设置于所述红外线吸收膜的前面且用于至少去除可见光。

10.一种红外线检测方法，该方法包括：

利用红外线检测器把红外线吸收膜的因温度上升而引起的介电常数的变化作为栅极电容变化而检测出来，所述温度上升是伴随着所述红外线吸收膜对红外线的吸收而发生的，

其中，所述红外线检测器包括：

源极区域和漏极区域，它们两者被形成于半导体基板上；

作为栅极绝缘膜被形成于所述半导体基板上的所述红外线吸收膜；以及

栅极电极，它被形成于所述栅极绝缘膜上且由针对红外线呈透明的电极形成。

11.一种电子设备，其包括红外线检测器，所述红外线检测器包括：

源极区域和漏极区域，它们两者被形成于半导体基板上；

红外线吸收膜，它作为栅极绝缘膜被形成于所述半导体基板上；以及

栅极电极，它被形成于所述栅极绝缘膜上且由针对红外线呈透明的电极形成，

其中，当将预定电压施加至所述栅极电极时，预定电流在所述源极区域与所述漏极区域之间流动，

其中，所述红外线吸收膜包括介电常数随温度变化的材料。

12.如权利要求11所述的电子设备，其还包括热成像传感器，在所述热成像传感器中布置有多个所述红外线检测器。

13.如权利要求11所述的电子设备，其还包括热成像传感器，在所述热成像传感器中所述红外线检测器和可见光检测器被混合使用。

14.如权利要求13所述的电子设备，其中，所述红外线检测器的像素行和所述可见光检测器的像素行被交替地形成。

15.如权利要求11所述的电子设备，其中，所述红外线检测器是真空密封包装的。

16.如权利要求11所述的电子设备，其还包括：

截止滤光器，它用于至少截止可见光，

其中，穿过所述截止滤光器的光入射到所述红外线检测器上。