[发明专利]一种物理销毁系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种物理销毁系统，属于数据存储数据安全性技术领域。

背景技术

数据物理销毁的目的是为了不让外界看到相关数据或永久性不可恢复,因此需谨慎对待,目前在各个国家均采用不同的数据销毁方案,方法不同,主要包括删除，格式化，覆写数据等软销毁方式和大电流击穿FLASH的物理销毁方式。

软销毁的方式存在销毁时间长和可恢复等风险，在紧急状态下，选择破坏性不可恢复的物理销毁是较好的方式。

发明内容

本发明的目的是提供一种物理销毁系统，用以解决软销毁的方式存在销毁时间长和可恢复等风险的问题。

为实现上述目的，本发明的方案包括一种物理销毁系统，该物理销毁系统包括销毁控制电路模块和限流保护电路模块，销毁控制电路模块包括销毁控制器和销毁时间控制开关，输入电源通过限流保护电路模块连接销毁时间控制开关，销毁控制器控制连接销毁时间控制开关。

销毁控制电路模块还包括一个继电器，继电器的控制端连接销毁使能信号，输入电源通过继电器连接限流保护电路模块。

销毁控制电路模块还包括一个电压转换电路模块，输入电源通过电压转换电路模块连接销毁控制器。

本发明采用电能销毁方式，通过给数据存储模块反向高电压冲击或者正向大电流，将数据存储模块汇总的存储晶元彻底损毁，销毁时间短，并且对元件进行了彻底销毁，不存在数据的恢复，很大地保证了安全性。

另外，本发明的物理销毁系统包括两部分：销毁控制电路、限流保护电路，两种电路相互配合实现销毁数据存储模块，达到保护信息安全的目的，同时限流保护电路保证销毁过程中及销毁后，模块其他电路不受影响，对其他模块起到了很大的保护作用，保证了其他模块的正常工作。

附图说明

图1是本发明实施方式结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步详细的说明。

一种物理销毁系统，该物理销毁系统包括销毁控制电路模块和限流保护电路模块，销毁控制电路模块包括销毁控制器和销毁时间控制开关，输入电源通过限流保护电路模块连接销毁时间控制开关，销毁控制器控制连接销毁时间控制开关。

基于以上技术方案，结合附图，给出以下一个具体实施方式。

通用的销毁用电源电压是28V，如图1所示，销毁控制电路包括一个用于通断28V毁钥电源的继电器，一个28V转3.3V的转换电路，一个控制销毁的销毁控制器——单片机，以及一个销毁时间控制MOS开关；限流保护电路包括一个大功率的恒流稳压的恒功率器。

28V毁钥电源通过28V转3.3V的转换电路连接单片机，为单片机提供工作电源，单片机控制连接销毁时间控制MOS开关，用于控制该开关的通断。

销毁使能信号连接到继电器的控制端，28V毁钥电源通过继电器连接限流保护电路的输入端，限流保护电路的输出端通过销毁时间控制MOS开关连接到大容量数据存储模块的存储介质NAND FLASH芯片电源管脚上。

首先，给继电器一个销毁使能信号，控制继电器得电导通，28V毁钥电源通过继电器加载到限流保护电路的输入端，输出端通过销毁时间控制MOS开关连接到大容量数据存储模块的存储介质NAND FLASH芯片电源管脚上，销毁时间控制MOS开关起到控制是否进行销毁。

另一方面，28V毁钥电源通过28V转3.3V的转换电路给单片机提供工作电源，在单片机中设置程序，控制销毁时间控制MOS开关导通和关断，也可以设置不同的销毁时间：500ms，1s，2s，4s，8s，10s等。

当单片机控制销毁时间控制MOS开关导通后，28V毁钥电源直接加载到FLASH上，采用反向高电压冲击或者正向大电流发热的方式，将NAND FLASH芯片内部管芯的存储晶元彻底损毁。

限流保护电路中的恒功率源保证销毁过程中及销毁后，其他电路模块不受影响，对其他模块起到了很大的保护作用，保证了其他模块的正常工作。

销毁电源电压28V下，销毁电流/销毁时间可以通过单片机设计的程序根据要求设置，比如：在销毁电流0.65A，销毁时间500ms的条件下，可是实现销毁，销毁后FLASH上有明显穿洞现象，无法恢复。

以上给出了具体的实施方式，但本发明不局限于所描述的实施方式。本发明的基本思路在于上述基本方案，对本领域普通技术人员而言，根据本发明的教导，设计出各种变形的模型、公式、参数并不需要花费创造性劳动。在不脱离本发明的原理和精神的情况下对实施方式进行的变化、修改、替换和变型仍落入本发明的保护范围内。