[发明专利]射频下变频通道装置

说明书

技术领域

本发明涉及通信领域，具体而言，涉及一种射频下变频通道装置。

背景技术

在微波射频通信领域，由于多普勒频移的效应和射频发射通道链路中频率 源的不稳定，会导致射频发射系统发出的射频信号到射频下变频接收系统时， 射频载波频率与设定载波频率相比产生较大频率偏离。上述频率偏离所产生的 频差会直接导致射频下变频输出中频频率和预定值的频差，若频率偏离所产生 的频差过大，则将导致中频解调时的解调性能下降，系统标误差矢量幅度 (ErrorVectorMagnitude，简称为EVM)指标恶化。

在相关技术中，为了克服频率偏离带来的影响，通常会在应用中提前预算 出载波频率的频差，在电路设计时提前进行频率补偿，将接收下变频通道的本 振频率和产生频偏的输入射频载波对应；或者直接在收发射频通道全部采用高 稳定度的频率源，同时在中频解调时采用数字锁相环技术，将频偏信号锁定到 预设中频处，消除载波频率偏离带来的影响。

在射频整机系统设备里，复杂的电磁环境中的杂散信号落到接收信号带宽 内将抬高带内噪声本底，从而导致射频接收机整机的灵敏度下降，同时恶化输 入射频前端的链路信噪比。为了满足射频接收机整体的电磁兼容性指标，提高 整机灵敏度，提高射频前端的抗干扰性，在保持系统中频带宽不变的情况下， 通常考虑提高射频前端滤波器的带外抑制或者降低整机噪声系数，使得射频信 号带外杂散不使射频前端饱和，且带外杂散带来的非线性互调参数落到接收信 号带宽内的参量不使噪底抬升很多，同时输入噪声本底能够尽可能的低。然而 在射频前端腔体滤波器指标和体积受限且整机噪声系数优化有限的限制下，提 高射频接收机部分的EMC的性能就较为困难。如何保证射频前端的带外杂散抑 制成为需要考虑的问题。

针对相关技术中避免射频载波频偏以及改善射频前端杂散EMC特性的问 题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对相关技术中射频载波频偏的问题，本发明提供了一种射频下变频通道 装置，以至少解决上述问题。

根据本发明，提供了一种射频下变频通道装置，包括：

下变频器，所述下变频器的第一输入端与射频载波输入相连，用于根据所 述射频载波输入和所述本振电路的输出产生中频信号；

参考晶振；

鉴相器，所述鉴相器的第一输入端与所述下变频器的输出端相连，所述鉴 相器的第二输入端与所述参考晶振相连，用于产生与所述中频信号的频率和所 述参考晶振的频率之间的频差对应的直流电压；

环路滤波器，所述环路滤波器的输入端与所述鉴相器的第一输出端相连；

压控振荡电路，所述压控振荡电路的输入端与所述环路滤波器的输出端相 连，用于根据所述环路滤波器输出的直流电压生成射频信号，并将所述射频信 号反馈至所述下变频器的第二输入端。

可选地，所述压控振荡电路为晶体压控振荡器。

可选地，所述压控振荡电路，包括：压控晶振，所述压控晶振的输入端与 所述环路滤波器的输出端相连接；锁相环电路，所述锁相环电路的输入端与所 述压控晶振的输出端相连，所述锁相环电路的输出端与所述下变频器的第二输 入端相连。

可选地，所述压控振荡电路，包括：压控晶振，所述压控晶振的输入端与 所述环路滤波器的输出端相连接；第一锁相环电路，所述第一锁相环电路的输 入端与所述压控晶振的输出端相连，用于产生第一频率的射频信号；第二锁相 环电路，所述第二锁相环电路的输入端与所述压控晶振的输出端相连，用于生 产生第二频率的射频信号；混频器，所述混频器的第一输入端与第一锁相环电 路的输出端相连接，所述混频器的第二输入端与所述第二锁相环电路的输出端 相连，所述混频器的输出端与所述下变频器的第二输入端相连。

可选地，所述下变频器和所述鉴相器之间还包括：第一镜像抑制滤波器， 所述第一镜像抑制滤波器的输入端与所述下变频器的输出端相连；第一放大 器，所述第一放大器的输入端与所述第一镜像抑制滤波器的输出端相连，所述 第一放大器的输出端与所述鉴相器的第一输入端相连。