[发明专利]一种含铝聚碳硅烷的合成方法有效
申请号: | 201410675365.4 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN104327275A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 谢征芳;王军;宋永才;王浩;简科;邵长伟;苟燕子 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人: | 陈亚琴;宁星耀 |
地址: | 410073 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含铝聚碳 硅烷 合成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种含铝聚碳硅烷的合成方法,具体涉及一种低氧含量含铝聚碳硅烷的合成方法。
背景技术
航空航天、兵器、能源等高技术领域的发展,对热结构材料复合材料提出了迫切需求。高性能陶瓷纤维是热结构材料复合材料的关键原材料。其中,碳化硅(SiC)纤维由于其优异的耐高温、高强度、高模量、抗氧化性能,受到极大关注。
有机先驱体转化法是制备SiC纤维的主要方法。有机先驱体转化法是以有机聚合物为先驱体,利用其可溶可熔等特性成型后,再经高温热分解使之从有机物转变为无机陶瓷材料的方法。1975年,日本东北大学的Yajima等人合成了聚碳硅烷(PCS)先驱体,经熔融纺丝、不熔化、高温烧成制得了SiC纤维,开启了有机先驱体转化法制备SiC纤维的新纪元。
有机先驱体转化法制备SiC纤维具有如下显著特点:(1)可制备连续、直径较小的纤维(<20 μm),纤维的可编织性好,易于编织成为复杂形状的预制件;(2)较低的制备温度(<1250 ℃);(3)可对先驱体进行分子设计,控制先驱体的组成,如制备含有异元素的功能性陶瓷纤维等;(4)适合于工业化生产,生产效率高,其成本仅为CVD法制备的SiC纤维成本的1/10左右。因此,有机先驱体转化法已成为目前制备连续SiC纤维较为理想的主要方法。
1998年,日本Ishikawa等人以乙酰丙酮铝(Al(AcAc)3)和PCS为原料合成了聚铝碳硅烷(PACS,也叫含铝聚碳硅烷)先驱体。PACS经熔融纺丝、空气不熔化和惰性气氛中1300 ℃高温烧成制备出非晶态的Si-Al-C-O纤维。Si-Al-C-O纤维在氩气中经1800 ℃烧结制备出Al含量约为0.6 wt%的Si-Al-C纤维。
李效东、曹峰、余煜玺等人采用 Al(AcAc)3和液态聚硅烷(PSCS)为原料,反应温度为420℃,反应数小时后,得到PACS先驱体,其Al含量约为0.4 wt%,数均分子量约为1500~2000,重均分子量约为1800~2300,软化点为200 ℃左右。由PACS经熔融纺丝、不熔化、1800 ℃高温烧结制备得到化学组成为SiC1.15O0.026Al0.013的SiC(Al)陶瓷纤维。
PACS先驱体的合成过程中,一般采用Al(AcAc)3为铝源化合物,比如CN101492541B公开了一种聚铝碳硅烷的制备方法,将乙酰丙酮铝与液态聚碳硅烷放入容器中混合,在300~420 ℃进行反应;反应结束后冷却至室温,即得到聚铝碳硅烷。由于在合成过程中Al(AcAc)3容易升华,反应不能按设定计量进行,导致反应物利用率较低,反应不均匀,给PACS的后续处理带来不便。根据反应式,向先驱体中引入1摩尔的Al,要消耗3摩尔的Si-H键,至少引入3摩尔的氧。此外,Al(AcAc)3为铝源化合物时,产物支化度大,分子量急剧增大,甚至出现超高分子量部分,分子量分布宽,对熔融纺丝性能造成不利影响。同时,在先驱体中引入的氧,将在1500 ℃以上分解逸出,在纤维中产生大量缺陷,对纤维性能造成不利影响。为了降低纤维制备过程中的缺陷,必须降低纤维氧含量,而纤维中的氧主要来源于先驱体和不熔化。采用通过非氧的不熔化方法,如电子束辐照、化学气相交联替代空气不熔化处理,不熔化纤维氧含量增量几乎为0。此时,进一步降低PACS先驱体中的氧含量显得尤为重要。
CN1715466A公开了一种含铝连续碳化硅纤维的制备方法,以含有Si-Si为主链的聚硅烷或聚硅烷共聚物和有机铝络合物为反应物,合成了聚铝碳硅烷。其中,有机铝络合物包括乙酰丙酮铝、铝醇盐、羰基铝中的一种或其中两种的混合。上述有机铝络合物,乙酰丙酮铝Al(AcAc)3、铝醇盐、羰基铝等均含大量的氧,将在先驱体中引入氧,且Si-Si为主链的聚硅烷或聚硅烷共聚物即使在420 ℃高温下仍将继续断键重排,因此,300~420 ℃反应得到的产物中仍可能含有 Si-Si键,这对最终纤维性能是不利的。
综上,现有技术中,含铝聚碳硅烷中Al源化合物含氧,常用原料乙酰丙酮铝等易升华,反应不能按设定计量进行,制得的含铝聚碳硅烷含超高分子量部分对熔融纺丝不利,且残余Si-H键含量较低,不利于后续不熔化。
发明内容
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