[发明专利]用于显示器像素单元阈值电压补偿电路的电容器结构在审

专利信息
申请号: 201410664676.0 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN104376813A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 张世昌;V·古普塔;朴英培 申请(专利权)人: 苹果公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 显示器 像素 单元 阈值 电压 补偿 电路 电容器 结构
【权利要求书】:

1.一种显示器像素单元,包括:

有机发光二极管;

驱动晶体管,具有向所述有机发光二极管施加电流的阈值电压;

阈值电压补偿电路装置,其补偿所述阈值电压的变化,其中所述阈值电压补偿电路装置包括形成于电介质基板上的薄膜晶体管和具有交织堆叠的导电极板的电容器,以及其中所述交织堆叠的导电极板包括半导体层、第一金属层、第二金属层和第三金属层。

2.根据权利要求1所述的显示器像素单元,其中所述第一金属层短接至所述第三金属层。

3.根据权利要求1所述的显示器像素单元中,所述交织堆叠的导电极板具有最下方的极板、最上方的极板、在所述最下方的极板和所述最上方的极板之间插入的第一极板、以及在所述最下方的极板和所述最上方的极板之间插入的第二极板,以及其中所述半导体层形成所述最下方的极板,所述第一金属层形成所述第一极板,所述第二金属层形成所述第二极板,以及所述第三金属层形成所述最上方的极板。

4.根据权利要求3所述的显示器像素单元,进一步包括位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的电介质层,以及所述电介质层中的开口,其中所述第二金属层被图案化以形成金属岛,以及其中所述第一金属层通过所述金属岛和所述开口中的导电材料短接至所述第三金属层。

5.根据权利要求4所述的显示器像素单元,进一步包括在所述第三金属层和所述第二金属层之间插入的钝化层。

6.根据权利要求5所述的显示器像素单元,其中所述钝化层具有开口,所述第三金属层通过所述开口接触所述第二金属层。

7.根据权利要求1所述的显示器像素单元,其中所述薄膜晶体管包括有源区层、所述有源区层上的栅极绝缘体、以及栅极金属,其中所述栅极绝缘体位于所述栅极金属和所述有源区层之间。

8.根据权利要求7所述的显示器像素单元,其中所述薄膜晶体管中的所述有源区层和所述电容器中的所述半导体层由共用的半导体材料层形成。

9.根据权利要求8所述的显示器像素单元,其中所述半导体材料包括多晶硅。

10.根据权利要求8所述的显示器像素单元,其中所述栅极金属包括所述第一金属层的一部分。

11.根据权利要求10所述的显示器像素单元,其中所述第二金属层的部分形成所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极。

12.一种显示器像素单元,包括:

有机发光二极管;

驱动晶体管,具有向所述有机发光二极管施加电流的阈值电压;

阈值电压补偿电路装置,其补偿所述阈值电压的变化,其中所述阈值电压补偿电路装置包括形成于电介质基板上的薄膜晶体管和具有交织堆叠的导电极板的电容器,其中,所述导电极板中的第一导电极板由半导体层形成,所述导电极板中的第二导电极板由第一金属层形成,以及其中所述导电极板中的第三导电极板由第二金属层和形成于所述第二金属层之上并且电连接至所述第二金属层的第三层金属层形成。

13.根据权利要求12所述的显示器像素单元,进一步包括第一电介质层和在所述第一电介质层上的第二电介质层,其中所述电容器中的所述第二金属层包括在所述第一电介质层上的蚀刻终止层。

14.根据权利要求13所述的显示器像素单元,其中所述半导体层包括多晶硅,以及其中所述电容器进一步包括在所述多晶硅和所述第一金属层之间的绝缘体层。

15.根据权利要求14所述的显示器像素单元,其中所述绝缘体层形成所述薄膜晶体管中的栅极绝缘体。

16.根据权利要求15所述的显示器像素单元,其中所述薄膜晶体管具有由所述第三金属层形成的源极端子和漏极端子。

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