[发明专利]一种使用CA3140放大器的高精度TR组件有效
申请号: | 201410657229.2 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104485895A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 沈智广 | 申请(专利权)人: | 无锡科思电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H04B1/38 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 ca3140 放大器 高精度 tr 组件 | ||
1.一种使用CA3140放大器的高精度TR组件,其特征在于:包括环行器、开关限幅器、低噪声放大器、第一滤波器、第一功率放大器、衰减器、收发转换开关、第三功率放大器、第二滤波器、限幅器、第二功率放大器;
所述环形器分别与开关限幅器、第二功率放大器相连;
所述开关限幅器、低噪声放大器、第一滤波器、第一功率放大器、衰减器、收发转换开关依次相连;
所述收发转换开关、第三功率放大器、第二滤波器、限幅器、第二功率放大器依次相连;
接收信号经过环形器进入开关限幅器,开关限幅器限制接收信号的幅度,进入低噪声放大器,低噪声放大器对信号进行功率放大后经过第一滤波器滤出杂波,滤除杂波后的信号进入第一功率放大器进行功率放大后再进入衰减器进行幅度衰减后送入收发转换开关;
发射信号经过收发转换开关后进入第三功率放大器进行功率放大,然后经过第二滤波器进行滤波,然后经过限幅器进行限幅控制,再经过第二功率放大器进行功率放大,最后进入环形器输出;
所述第一至第三功率放大器具体电路结构均包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一二极管、第二二极管、型号为CA3140的放大器芯片,其中:
所述第一电容的一端分别连接第四电阻的一端、第三电阻的一端、第七电容的一端、第五电阻的一端;所述第四电阻的另一端分别第三电容的一端、第四电容的一端、第一二极管的阴极、放大器芯片的第五引脚;所述放大器芯片的第一引脚连接第八电容的一端;所述第八电容的另一端连接第三电阻的另一端;所述放大器芯片的第二引脚分别连接第二电容的一端、第二电阻的一端、第一电阻的一端;所述第二电阻的另一端分别连接第九电容的一端、第十电容的一端;所述第九电容的另一端分别连接第七电容的另一端、第五电阻的另一端;所述第十电容的另一端分别连接放大器芯片的第三引脚、第二二极管的阳极、第十一电容的一端;所述第二二极管的阴极分别连接第一电阻的另一端、第一二极管的阳极、放大器芯片的第四引脚、第六电阻的一端、第五电容的一端;所述第六电阻的另一端连接第六电容的一端;所述第六电容的另一端连接第十一电容的另一端。
2.如权利要求1所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述环形器的型号为HXJ33-20DB。
3.如权利要求1所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述开关限幅器的型号为YGN11131-1。
4.如权利要求3所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述第一滤波器为声表滤波器,所述声表滤波器的型号为F11315M。
5.如权利要求1所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述第二滤波器采用LC滤波器。
6.如权利要求1所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述低噪声放大器的增益为15dB,噪声系数为0.2dB。
7.如权利要求1所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述第一功率放大器的增益为20dB,噪声系数为1.5dB。
8.如权利要求1所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述第二功率放大器的增益为15dB,噪声系数为1dB。
9.如权利要求1所述的一种改进低噪声放大器结构的高精度TR组件,其特征在于:所述第三功率放大器的增益为15dB,噪声系数为1.2dB。
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