[发明专利]故障电流限制器在审

专利信息
申请号: 201410647582.2 申请日: 2014-11-14
公开(公告)号: CN104659770A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 沈政煜;李京昊;朴海容 申请(专利权)人: LS产电株式会社
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;邓玉婷
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 故障 电流 限制器
【权利要求书】:

1.一种故障电流限制器,其包括

开关,当故障电流发生时所述开关的触点被断开;

电流限制元件,其配置为当故障电流发生时限制故障电流;

二极管,其与所述电流限制元件串联,

其中,所述二极管的击穿电压高于当正常电流流通时通过开关的阻抗造成的电压降。

2.根据权利要求1所述的限制器,其中,当开关由于故障电流高于所述二极管的击穿电压而断开之后产生电压时,使所述二极管导通。

3.一种故障电流限制器,其包括:

测量单元,其配置为测量电流;

检测单元,其配置为当通过所述测量单元判定故障电流发生时,发送用于断开开关的断开信号和用于关断功率半导体的关断信号;

开关,其配置为通过所述断开信号而断开触点;

功率半导体,其与所述开关串联以形成主路径并配置为通过所述关断信号而关断;

电流限制元件,其配置为限制故障电流;以及

二极管,其与所述电流限制元件串联以形成限制路径并且配置为阻挡正常电流流入限制路径。

4.根据权利要求3所述的限制器,其中,所述二极管包括:

第一二极管,其正向连接;以及

第二二极管,其反向连接并与所述第一二极管并联。

5.根据权利要求3所述的限制器,其中,所述二极管的击穿电压高于当正常电流流通时通过主路径的阻抗造成的电压降。

6.根据权利要求3所述的限制器,其中,所述二极管的击穿电压高于当正常电流流通时通过功率半导体的阻抗造成的电压降。

7.根据权利要求3所述的限制器,其中,所述电流限制元件包括:

第一电力熔断器,其配置为阻挡故障电流流入限制路径;

第一电阻器单元,其与所述第一电力熔断器并联并配置为在所述第一电力熔断器熔断之后阻挡故障电流;以及

第二电力熔断器,其与第一电阻器单元串联并配置为在故障电流通过所述第一电阻器单元后阻挡故障电流。

8.根据权利要求3所述的限制器,进一步包括:

第二电阻器单元,其布置在所述二极管和所述电流限制元件之间并配置为限制故障电流的第一个尖峰电流。

9.根据权利要求8所述的限制器,其中,相互连接的所述二极管和所述第二电阻器单元并联至所述功率半导体,并且所述电流限制单元与所述开关并联。

10.根据权利要求8所述的限制器,其中,通过所述第二电阻器单元造成的电压降低于通过所述功率半导体造成的电压降。

11.根据权利要求3所述的限制器,其中,所述检测单元进一步配置为在发送关断信号前发送断开信号。

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