[发明专利]声表面波器件抗300℃高温剥离方法有效
| 申请号： | 201410647515.0 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104333341B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 冷俊林;董加和;陈运祥;陈彦光;金中 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H9/25;H03H3/08 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 | 代理人： | 梁展湖,李海华 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 300 高温 剥离 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种声表面波器件抗300℃高温剥离方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）在基片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；所述基片采用钽酸锂单晶或铌酸锂单晶压电基片，该金属芯片包括金属叉指区和引线键合区；
2）在加温到120℃、加压到500PSI并抽真空的情况下，在基片的金属面上贴上一层干膜，并切除基片边缘的干膜；所述干膜采用HP3610型干膜；
3）在曝光机上使用掩膜版对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光，其曝光量为50-300mj/cm2；
4）在重量百分比为1%的NaCO3溶剂中对干膜进行显影，显影时间为100-300s；
5）在镀膜机中对引线键合区表面有干膜的基片表面制作厚度为50-3000nm的SiO2温度补偿层，同时在300℃条件下进行原位退火2小时；
6）最后在NMP溶剂中，在温度为90℃、压强为1000PSI的环境下进行剥离，去除引线键合区的干膜以及该部分干膜表面上的SiO2温度补偿层。
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