[发明专利]电力效率改善装置有效

专利信息
申请号: 201410601532.0 申请日: 2014-10-31
公开(公告)号: CN104767355A 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 金燦洪;金鲜京 申请(专利权)人: 庆熙大学校产学协力团;金燦洪
主分类号: H02K44/08 分类号: H02K44/08
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋融冰
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 电力 效率 改善 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种电力效率改善装置,其可提高导线及电子装置(electrical device)的导电性,减少电阻造成的热损失。

背景技术

由于环保替代能源技术开发的延迟,全世界都在经历一个共同的问题:能源短缺。作为解决能源短缺问题的方法,已经进行的有:1)开发环保替代能源,以及2)发展高效率功率元件,此外,近年来,针对如何通过改善外部装置以提高电子元件效率的方案备受关注。

例如,使用交流电流的大多数电子元件,实际上会因不完整的交流波形特征而造成异常(abnormal)电压及谐波波形从而带来损耗,用来解决这个问题的技术,通常使用向电力供给装置即电力设备安装保持恒定理想正弦(ideal sinusoidal)波形的电路的方法。

先行技术文献

专利文献

(专利文献1)美国公开专利2011/0140781A1。

发明内容

解决课题

然而,保持电力设备供给的交流电流的波形恒定的电路技术,虽然在电子元件效率改善改善上起到了一定的帮助,但是其无法从根本上解决提高电子元件效率的问题。这是因为,电子元件的效率低下的主要原因是,导线内及电子元件本身内进行的自由电子随机运动造成原子振动运动与碰撞,即,电阻的因素。为提高电子元件的效率,可以设想一种方案,即,将随机运动的自由电子安排在一个预定的方向上,降低与其他振动(vibrating)原子或自由电子碰撞的几率,由此来提高自由电子的流动速度(drift velocity)。即,自由电子的流动速度增加的话,可提高导体及电子元件的导电性(conductivity),由此来降低由于电子元件效率减少的主要原因即电阻造成的热损失。

本发明所要解决的课题在于,提供一种电力效率改善装置,其生成一个强大的磁场,由此来提高自由电子的流动速度及导线与电子元件的导电性,由此来改善电力效率。

本发明所要解决的课题,不限于上述提到的问题,未提到的其他课题,本领域技术人员可根据下面的记载清楚地理解。

课题的解决手段

根据用于达成所述课题的本发明的一个实施例的电力效率改善装置,包括:产生磁场的磁体;导线,其通过所述磁场,并电气并联于施加了交流电压的电力线的一端;和控制单元,其连接于所述导线的另一端,将与施加至所述电力线的交流电压相同的交流电压施加至所述导线,防止过电流及对电子元件的电涌(surge),其中,所述导线包括导电板,其中,所述导电板在形成所述磁场的空间里与所述磁体隔开排置,所述导电板的第一宽度大于或等于所述导线的第二宽度。

所述磁场可具有0.1T至1T的大小。

可进一步包括被覆所述导线的绝缘部件,其中,所述导电板可不被被覆。

可进一步包括固定单元,其形成于所述磁体与所述导电板之间,将所述导电板固定在所述磁场内部。

所述磁体包括第一磁体和与第一磁体隔开排置的第二磁体,所述第一和第二磁体的相对的表面极性可互不相同。

所述导线可在所述第一磁体与所述第二磁体之间通过。

所述磁体可以是螺旋管线圈(solenoid)。所述螺旋管线圈包括:强磁体;和缠绕所述强磁体的螺旋管线圈导线,其中,所述螺旋管线圈导线可与所述控制单元连接,来从独立电源通过所述控制单元接收电源的供给。

所述螺旋管线圈包括第一螺旋管线圈和与第一螺旋管线圈隔开排置的第二螺旋管线圈,所述导线可在所述第一螺旋管线圈与所述第二螺旋管线圈之间通过。

所述磁体可包括:上下隔开排置的第一和第二磁体;和围绕所述第一和第二磁体的多个螺旋管线圈,其中,所述导线,可在第一与第二磁体之间,穿过所述第一磁体、所述第二磁体及所述多个螺旋管线圈各自的磁场重叠的部分。

所述磁体可进一步包括密封材料,其用于将排置有所述导电板的空间成型(molding)。

根据用于达成所述课题的本发明的另一实施例的电力效率改善装置,包括:多个磁场产生单元,其一对一对应于具有互不相同的相的多个电力线;多个导线,其各自的一端分别与所述多个电力线各自电气并联,并穿过所述多个磁场产生单元各自产生的磁场;和控制单元,其与所述多个导线的另一端连接,并控制流经所述多个导线的电压和电流。

所述控制单元,将与施加至所述多个导线分别连接的所述多个电力线各自的交流电压相同的交流电压,分别施加至所述多个导线,防止过电流及对电子元件的电涌(surge),其中,所述多个磁场产生单元,可分别产生0.1T至1T的磁场。

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