[发明专利]射频放大器及射频放大方法

权利要求书

1.一种射频放大器，其特征在于，包括：

输入放大器(20)，包括：

晶体管装置(10)；

输出阻抗装置(32)；

提供退化的退化阻抗装置(30)；和

反馈阻抗装置(24)，

其中退化阻抗装置是完全无源的，输出阻抗装置包括完全无源装置，所述完全无源装置在频率变化上与退化阻抗装置相匹配,其中所述输出阻抗装置(32)连接到所述晶体管装置(10)的集电极，所述退化阻抗装置(30)连接到所述晶体管装置(10)的发射极；和

所述射频放大器还包括缓冲放大器(22)，所述输入放大器(20)的输出作为缓冲放大器(22)的输入，并且缓冲放大器(22)提供射频放大器输出；

其中退化阻抗装置(30)和输出阻抗装置(32)包括电感；

其中输出阻抗装置的电感具有在电感的末端之间的输出分支，输入放大器输出包括输出分支，输入放大器的输出分支连接到缓冲放大器的输入。

2.根据权利要求1所述的射频放大器，其特征在于，输入放大器(20)的电压增益至少是20dB。

3.根据权利要求1或2所述的射频放大器，其特征在于，晶体管装置(10)包括公共发射极晶体管布置。

4.根据权利要求3所述的射频放大器，其特征在于，公共发射极晶体管布置包括单个晶体管(10)。

5.根据权利要求3所述的射频放大器，其特征在于，公共发射极晶体管布置包括第一和第二晶体管，第一和第二晶体管包括串联连接的集电极-发射极路径，其中射频输入信号施加到第一晶体管(10a)的基极，偏置电压施加到第二晶体管(10b)的基极。

6.根据权利要求5所述的射频放大器，其特征在于，公共发射极晶体管布置还包括第三晶体管(10c)，所述第三晶体管(10c)具有连接在第一晶体管(10a)的集电极和基极之间的集电极-发射极路径。

7.根据权利要求1所述的射频放大器，其特征在于，退化阻抗装置(30)只包括由封装到地连接定义的电感。

8.根据权利要求1所述的射频放大器，其特征在于，退化阻抗装置(30)包括专用电路元件。

9.根据权利要求1或2所述的射频放大器，其特征在于，缓冲放大器(22)包括缓冲晶体管(52)，用于控制缓冲晶体管的发射极电流的电流源(54)，和在缓冲晶体管(52)的输出端的用于提供输出阻抗匹配的匹配阻抗(26)。

10.一种可变增益放大器，其特征在于，包括根据前述任一权利要求所述的射频放大器(60)，数字步进衰减器(62)，和输出放大器(64)。

11.一种移动电话基站射频放大器电路，其特征在于，包括根据权利要求1至9中任一项所述的射频放大器。

12.一种射频放大方法，其特征在于，包括：

使用射频放大器提供射频输入的恒压增益放大，射频放大器具有完全无源的退化阻抗装置(30)和输出阻抗装置(32)，所述输出阻抗装置(32)包括完全无源装置，所述完全无源装置在频率变化上与退化阻抗装置(30)相匹配；和

缓冲经恒压增益放大的信号；

其中退化阻抗装置(30)和输出阻抗装置(32)包括电感；

其中输出阻抗装置的电感具有在电感的末端之间的输出分支，所述输出分支连接到缓冲放大器的输入。