[发明专利]激光加工用保护膜剂

说明书

技术领域

本发明涉及对晶片(ウェーハ)照射激光而进行划线(スクライビング)、切割(ダイシング)、开槽(グルービング)等加工时用于被覆并保护晶片表面的保护膜剂。

背景技术

由硅、蓝宝石等化合物构成，IC、LSI、LED等设备通过切割道(ストリート)区分而形成多个的晶片，将切割道纵横分离而被分割成各个设备。这样的切割道的分割通过以下方法进行：通过激光的照射形成加工沟槽等。

在激光加工该晶片的工序等中，发生构成晶片的原子等通过激光的照射而原子蒸发(升华)并飞散，它们作为异物(碎屑，デブリ)再次扩散落下并附着于晶片的表面。但是，这样附着的异物(碎屑)成为在此后的清洗等工序中也无法除去的问题。

作为针对如上所述问题的解决方法，目前，为了创造上述原子蒸发(升华)的成分飞散而不对晶片造成影响的环境，已知吹气体、真空抽吸或减压下的加工方法等。但是，在这样的方法中，有装置的设置、装置的开动、运转操作的繁杂等，期望改良。

因此，逐渐采用在照射激光前用树脂被覆晶片的表面，然后加工晶片的表面的方法。由此，可使得即使碎屑飞散也能通过上述树脂膜进行保护而不附着于设备。

作为上述保护膜用树脂，如日本国特开2007-073670号公报所示，使用聚乙烯醇(PVA)，通过旋转涂布机等涂布于晶片的表面，被覆并保护表面。而且，在进行激光加工后，用水清洗而将形成被膜的PVA与产生的碎屑一同冲洗。

如上所述，该聚乙烯醇(PVA)可用水清洗除去而便于使用。但是，即使在激光加工后冲洗PVA，碎屑的一部分形成特别是在加工沟槽附近的晶片表面附着的状态而无法完全除去。另外，如下所述，有时残留污垢状残渣，认为其原因为处于加热状态的碎屑的附着所伴有的PVA的热变化。因此，可发现无法充分保护晶片的表面。

发明内容

本发明的目的在于，得到在激光加工时可更确实地被覆并保护晶片的表面，在加工处理后通过用水清洗而除去，可得到见不到碎屑附着的洁净的晶片表面的激光加工用保护膜剂。

本发明通过使用聚-N-乙烯基乙酰胺作为在激光加工时用于被覆并保护晶片的表面的水溶性粘接剂而制成激光加工用保护膜。

另外，在该激光加工用保护膜剂中进一步加入主要吸收355nm的紫外线、532nm的可见光、790nm的红外线、其它希望波长的激光的吸收剂，使得可更有效地进行激光加工。

根据本发明，可在通过保护膜剂被覆并保护晶片的表面的状态下进行划线、切割、开槽等激光加工。通过该激光加工产生的碎屑可通过水洗而与保护膜剂一同简单地除去。另外，也不产生认为是由保护膜剂导致的污垢状残渣，可得到具有洁净的表面的晶片。

而且，由于可充分预防这样的激光加工所伴有的晶片表面的污染，所以切割道的宽度也可变窄，还使得设备的有效制备成为可能。

另外，在认为与各种加工相伴而产生的异物的再次附着的各种激光加工处理操作中，可广泛使用。而且，对于Low-k膜等绝缘膜的基于激光开槽的开槽工序也可使用。

此外，该保护膜剂作为能够用水简单地清洗除去的水溶性保护膜，可广泛用于表面损伤的预防、抑制胶带的粘合性等的控制、在要求约200℃左右的耐热性的工序中的应用等。

附图说明

图1示出本发明的实施例的试验结果，图1A为放大平面图，图1B为放大侧视图。

图2示出本发明的比较例的试验结果，图2A为放大平面图，图2B为放大侧视图。

具体实施方式

在本发明的激光加工用保护膜剂中使用聚-N-乙烯基乙酰胺作为水溶性粘接剂。作为该聚-N-乙烯基乙酰胺，优选为N-乙烯基乙酰胺的均聚物。

该聚-N-乙烯基乙酰胺的重均分子量可使用5,000~2,000,000左右的分子量、优选10,000~1,730,000左右的分子量、进一步优选20,000~1,000,000左右的分子量。

上述聚-N-乙烯基乙酰胺可将其浓度设为0.1~40质量%左右进行使用，可以以优选1~20质量%左右、更优选1.5~8质量%左右、进一步优选1.5~5质量%左右进行使用。

另外，该聚-N-乙烯基乙酰胺的分解起始温度约为360℃，具有耐热性。

上述聚-N-乙烯基乙酰胺为水溶性，作为其溶剂可使用纯水。另外，可将异丙醇等醇类、甘油类、二醇醚等的1种或数种与纯水一同混合使用。

这样的激光加工用保护膜剂，通过用旋转涂布机涂布或用喷雾器涂布于晶片的表面，可得到均匀的涂布面。特别是不必进行烘烤操作即可使用。