[发明专利]城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线有效
申请号: | 201410583991.0 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104319474A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 周建华;叶啸海;陈楠;游佰强;李杰;徐伟明;陈婧薇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q5/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 城墙 状孔缝 多级 耦合 平面 引向 应用 天线 | ||
1.城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于设有下层基板和上层基板,在上层基板和下层基板的上表面分别敷有金属层形成正方形贴片;上层正方形贴片采用角部对称三角形切角结构,在上层正方形贴片上设有贴片几何中心对称的城墙状缝隙对,形成城墙状缝隙阵列,在带有电磁耦合的城墙状缝隙之间设有耦合腔,在两组正交的城墙阵列衔接处,设有4个45度角位置的调控耦合腔;下层正方形贴片采用角部对称三角形切角结构,在下层正方形贴片的四边中部各设有一个矩形凹槽形成类分形结构,在下层正方形贴片的四边外围设有贴片中心对称的引向臂;下层基板下表面敷有良导体层作为接地板,在下层基板下表面上设有3个馈电接头,3个馈电接头分别与3个馈电点连接。
2.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于所述上层基板和下层基板均采用相对介电常数为2~12的介质基板,相对介电常数优选4.4。
3.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于上层基板和下层基板的厚度为2~4mm,优选3mm;所述上层基板的边长为30~36mm,优选34mm;下层基板的边长为70~80mm,优选72mm。
4.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于所述上层正方形贴片的边长a1为24~28mm,优选26mm;采用角部对称三角形切角结构的角部切角边长s1可为3~7mm,优选5mm。
5.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于所述外城墙状缝隙的长边L1为1~6mm,优选2.55mm,短边W1为1~4mm,优选1.45mm,缝隙宽度b1为0.3~0.6mm,优选0.55mm;内城墙状缝隙的长边W2可为1~3mm,优选2.30mm,短边L2可为1~2mm,优选1.55mm;缝隙宽度b1可为0.3~0.6mm,缝隙间耦合腔的半径可为0.2~0.6mm,优选0.4mm,耦合腔之间距离d1可为3~7mm,优选4.90mm,外城墙状缝隙与上层正方形贴片的边的距离d3可为1~6mm,优选2.677mm,内城墙状缝隙与上层正方形贴片的边的距离d4可为3~8mm,优选5.307mm。
6.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于所述调控耦合腔的半径为0.2~0.6mm,优选0.4mm,调控耦合腔之间的距离d2为1~3mm,优选1.846mm。
7.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于上层辐射贴片北斗系统终端天线S频段馈电点的半径为0.60mm±0.01mm,短路钉半径为0.60mm±0.01mm。
8.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于下层正方形贴片的边长a2为38~42mm,优选40.5mm;采用角部对称三角形切角结构来产生圆极化,角部切角边长s2可为3~9mm,优选6mm;在下层正方形贴片四面中点设有矩形凹槽,形成类分形结构,所述矩形凹槽的长边W4可为6~10mm,优选7.75mm,短边L4可为1~3mm,优选2mm;外围关于贴片中心对称的引向臂的边长长边L5可为37~42mm,优选39mm,短边W5可为4~8mm,优选6mm。
9.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于下层基板上表面外围引向臂城墙状缝隙的长边W3为1~6mm,优选3.2mm,短边L3为1~4mm,优选1.8mm,缝隙宽度b2为0.3~1.0mm,优选0.7mm。
10.如权利要求1所述城墙状孔缝多级耦合平面引向多应用叠层天线,其特征在于引向臂与正方形贴片的距离d5为3~7mm,优选4.75mm;下层辐射贴片北斗系统终端天线L频段馈电点的半径为0.60mm±0.01mm,GPS系统终端天线L1频段馈电点的半径可为0.60mm±0.01mm;接地板为正方形,接地板边长可为70~80mm;优选72mm;接地板为厚度大于趋肤深度的银层或铜层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410583991.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铜合金及制备方法
- 下一篇:一种采用转炉冶炼高碳低磷钢的方法