[发明专利]同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法

权利要求书

1.一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层；

步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；

步骤3：在刻蚀成脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；

步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；

步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备；

其中n型低折射率插入层与p型低折射率插入层为非对称掺杂，使有源区的位置向n型区域靠近；

n型低折射率插入层的材料为n型铝镓砷或铟镓砷材料，厚度为0.1-0.6μm，n型铝镓砷中的铝组分为0.7-1，铟镓砷材料中的铟组分为0.1-0.3，其带隙宽度高于n型波导层的带隙宽度；

p型低折射率插入层的材料为p型铝镓砷或铟镓砷材料，厚度为0.1-0.6μm，p型铝镓砷中的铝组分为0.7-1，p型铝镓砷中的铟组分为0.1-0.3，其带隙宽度高于p型波导层的带隙宽度。

2.根据权利要求1所述的同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，其中砷化镓衬底的厚度为500-1000μm。

3.根据权利要求1所述的同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，其中n型波导层的材料为不掺杂或轻掺杂的砷化镓或者铟镓砷材料，厚度为0.2-2μm。

4.根据权利要求1所述的同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，其中量子阱有源区的量子阱个数为1-5个，每一量子阱的材料为砷化镓材料、镓砷磷材料以及铟镓砷材料，每一量子阱的厚度为1-10nm，量子垒材料分别对应为铝镓砷、铟镓磷以及镓砷磷材料。

5.根据权利要求1所述的同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，其中p型波导层的材料为不掺杂或轻掺杂的砷化镓或者铟镓砷材料，厚度为0.2-2μm。

6.根据权利要求1所述的同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，其中脊型刻蚀的深度到达p型限制层内。