[发明专利]多赫蒂放大器结构

权利要求书

1.一种集成的多赫蒂放大器结构，其特征在于，包括：

主放大器级；

至少一个峰值放大器级；

输出组合条，被配置为接收和组合来自主放大器级和每个峰值放大器级的输出；

主连接，被配置为将主放大器级的输出端连接到组合条，主连接至少部分地包括接合线形成第一电感；

峰值连接，被配置为将峰值放大器级的输出端连接到组合条；

其中，主连接在沿着组合条的第一点处连接到组合条，峰值连接在沿着组合条的与第一点隔开的第二点处连接到组合条，以及主放大器级比一个以上的峰值放大器级更加远离输出组合条。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，主连接的第一电感与主放大器级和峰值放大器级的输出电容结合在一起，至少部分地形成用于主放大器级的阻抗变换装置。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，阻抗变换装置被配置为通过相对于峰值连接的长度的主连接的长度来调谐。

4.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，主放大器级和至少一个峰值放大器级形成在管芯上以及输出组合条包括封装的输出引线，半导体管芯安装在所述封装中。

5.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，组合条的宽度等于或大于形成放大器结构的放大器级的总宽度。

6.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，所述结构包括第一峰值放大器级和第二峰值放大器级，第一峰值放大器级通过第一峰值连接连接到输出引线，第二峰值放大器级通过第二峰值连接连接到输出引线。

7.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，由接合线提供主连接，接合线在主放大器级的输出接合焊盘之间延伸并直接连接到组合条。

8.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，输出引线被连接到输出阻抗匹配网络，所述输出阻抗匹配网络形成在所述封装之外用于阻抗匹配到负载。

9.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，主放大器级和峰值放大器级由场效应晶体管提供，峰值连接将峰值放大器级的漏极直接连接到输出引线，主连接将主放大器级的漏极直接连接到输出引线。

10.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，包括连接在所述结构的输入端和至少一个峰值放大器级之间的相位补偿元件，用于补偿在组合条处的主放大器级的输出和每个峰值放大器的输出之间的相位差。

11.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，

主放大器级的输出端包括主输出接合焊盘和主连接，主连接包括接合线，主连接将主输出接合焊盘直接连接到组合条；和

每个峰值放大器级的输出端包括峰值输出接合焊盘和峰值连接，峰值连接包括接合线，峰值连接将峰值输出接合焊盘直接连接到组合条，主连接接合线的长度大于峰值连接接合线的长度。

12.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，所述结构包括集成的输入分离元件，所述输入分离元件被配置为接收要输入到多赫蒂放大器结构的输入信号，并分离要输入到所述主放大器级和峰值放大器级的所述信号。

13.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，主放大器级由至少一个AB类偏置的晶体管形成，和/或峰值放大器级由至少一个C类偏置的晶体管形成。

14.一种功率放大器，其特征在于，包括根据权利要求1至13中任一项所述的多赫蒂放大器结构。

15.一种蜂窝基站，其特征在于，所述蜂窝基站用于移动通信网络，所述移动通信网络包括根据权利要求14所述的功率放大器。