[发明专利]氢表面处理石墨烯、其形成方法及包含该石墨烯的电子设备

权利要求书

1.氢表面处理石墨烯，该石墨烯具有0.1～5.5eV的带隙，并满足以下数学表达式1：

[数学表达式1]

10≤I_D/I_D’

其中，I_D表示存在于拉曼位移为1,350±5cm^-1的区域中的峰的强度，且

I_D’表示存在于拉曼位移为1,620±5cm^-1的区域中的峰的强度，

所述峰的强度在用514nm的激光照射后进行测量。

2.根据权利要求1所述的氢表面处理石墨烯，该石墨烯包含第一区域和第二区域，该第一和第二区域均具有不同的带隙，其中所述第二区域具有1.0～5.5eV的带隙。

3.根据权利要求2所述的氢表面处理石墨烯，其特征在于，所述第一区域与第二区域的带隙之间的差异大于或等于0.5eV。

4.根据权利要求2所述的氢表面处理石墨烯，其特征在于，所述第二区域具有1～500MΩ/sq的薄膜电阻。

5.根据权利要求1所述的氢表面处理石墨烯，该石墨烯包括：

非氢处理的第一区域；和

经过氢表面处理的第二区域。

6.根据权利要求2所述的氢表面处理石墨烯，其特征在于，该石墨烯满足以下数学表达式2：[数学表达式2]

ΔE^*≤1.5

其中，ΔE^*表示所述第一区域的任一点与所述第二区域的任一点之间的色差，该色差是用国际照明委员会(CIE)色坐标对这两点进行测量而获得的。

7.根据权利要求2所述的氢表面处理石墨烯，其特征在于，所述第二区域具有平均氢吸附率为15％或以上的表面。

8.根据权利要求2所述的氢表面处理石墨烯，其特征在于，所述第二区域的平均霍尔迁移为1～200cm²/V·s，且所述第一区域和所述第二区域的霍尔迁移之差大于或等于10cm²/V·s。

9.根据权利要求2所述的氢表面处理石墨烯，其特征在于，所述石墨烯具有2～20层的层叠结构，且该具有层叠结构的石墨烯的第n层(n为2～20的整数)中形成有图形，该图形包括非氢处理的第一区域和经过氢表面处理的第二区域。

10.根据权利要求2所述的氢表面处理石墨烯，其特征在于，所述石墨烯具有2～20层的层叠结构，每一层均包括非氢处理的第一区域和经过氢表面处理的第二区域，且该具有层叠结构的石墨烯的第n层(n为2～20的整数)和第n-1层包括具有不同图形的经过氢表面处理的区域。

11.一种石墨烯的表面处理方法，包括：

进行间接氢等离子体处理，且

其中所述表面处理方法包括：

在进行所述间接氢等离子体处理之前，在石墨烯上形成保护层图形；或者

在进行了所述间接氢等离子体处理之后，通过将热或能量部分地施加至等离子体处理过的石墨烯而在所述等离子体处理过的石墨烯上形成图形。

12.根据权利要求11所述的表面处理方法，其特征在于，在进行所述间接氢等离子体处理时，氢气的内压小于或等于15mTorr。

13.根据权利要求11所述的表面处理方法，其特征在于，在石墨烯上形成保护层图形包括：

在进行所述间接氢等离子体处理之前，在石墨烯上形成保护层图形；和

在进行了所述间接氢等离子体处理之后，除去保护层。

14.根据权利要求11所述的表面处理方法，其特征在于，通过将热或能量部分地施加至等离子体处理过的石墨烯而在所述等离子体处理过的石墨烯上形成图形包括：

在进行了所述间接氢等离子体处理之后，通过用激光照射该间接氢等离子体处理过的石墨烯来形成图形。

15.根据权利要求11所述的表面处理方法，其特征在于，当在进行了所述间接氢等离子体处理之后、通过将热或能量部分地施加至等离子体处理过的石墨烯而在所述等离子体处理过的石墨烯上形成图形时，施加了热或能量的石墨烯区域的表面温度大于或等于200℃。