[发明专利]多赫蒂放大器有效

专利信息
申请号: 201410540169.6 申请日: 2014-10-14
公开(公告)号: CN104660176A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 艾克斯威尔·布鲁诺·让·莫诺瓦;杰拉德·简-路易斯·布伊斯;让-雅克·博尼 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H03F1/07 分类号: H03F1/07
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨静
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 多赫蒂 放大器
【权利要求书】:

1.一种集成多赫蒂放大器,用于在工作频率处对输入信号进行放大,所述集成多赫蒂放大器包括:

主放大器;

至少第一和第二峰值放大器,所述峰值放大器中的每一个包括用于接收输入信号的栅极、源极、和用于提供已放大信号的漏极;

第一输入移相器,设置于所述主放大器的栅极和所述第一峰值放大器的栅极之间;

第二输入移相器,设置于所述第一峰值放大器的栅极和所述第二峰值放大器的栅极之间,其中第一输入移相器和第二输入移相器各自配置为在工作频率处将输入信号的相位移位90°;

第一电容器,配置为耦接在所述第一峰值放大器的漏极和地之间;

第一输出移相器,设置于所述主放大器的漏极和第一峰值放大器的漏极之间,其中第一输出移相器和第一电容器的组合配置为在工作频率处将来自主放大器的已放大信号的相位移位90°;以及

第二输出移相器,设置于所述第一峰值放大器的漏极和所述第二峰值放大器的漏极之间,其中第二输出移相器与第一电容器的组合配置为在工作频率处将来自第一峰值放大器的已放大信号的相位移位90°。

2.根据权利要求1所述的放大器,包括:

第零电容器,配置为耦接在所述主放大器的漏极和地之间;以及

第二电容器,配置为耦接在所述第二峰值放大器的漏极和地之间。

3.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第二输出移相器包括串联的初级输出移相器接合配线和次级输出移相器接合配线。

4.根据权利要求3所述的放大器,其中,所述第一输出移相器的阻抗是所述初级输出移相器接合配线和次级输出移相器接合配线在工作频率处的组合阻抗的两倍。

5.根据权利要求3或4所述的放大器,其中,所述第二输出移相器包括具有第一极板和第二极板的第二电容器,所述第一极板与所述初级输出移相器接合配线和次级输出移相器接合配线之间的结点相连,所述第二极板配置为耦接至地。

6.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中,所述第一输入移相器和第二输入移相器各自由集成电感器来提供。

7.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中,所述第一输出移相器包括接合配线。

8.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中,所述第一峰值放大器设置在管芯上,并且所述第一电容器是设置在与所述第一峰值放大器同一管芯上的集成电容器。

9.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中,所述第一输入移相器和/或第二输入移相器包括隔直电容器。

10.根据任一前述权利要求所述的放大器,还包括设置在特定主放大器或峰值放大器的栅极和地之间的匹配网络,所述匹配网络包括串联的电容器和电感器。

11.根据权利要求10所述的放大器,还包括设置在匹配网络的电容器和电感器之间的结点,所述结点配置为接收针对所述特定放大器的偏置电压。

12.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中,所述主放大器、所述第一峰值放大器和所述第二峰值放大器设置在行中,并且每一个放大器的晶体管设置在相应列中。

13.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中,所述多赫蒂放大器通过单一的封装来包装。

14.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中,所述主放大器、所述第一峰值放大器和所述第二峰值放大器设置在单个管芯上。

15.一种电信基站,包括根据任一前述权利要求所述的多赫蒂放大器。

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