[发明专利]一种像素电路的驱动方法有效

专利信息
申请号: 201410522250.1 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN104318894B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 龙春平;田宏伟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 电路 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、存储电容以及发光器件;

所述第一晶体管的栅极连接发光控制信号输入端,第一极连接所述存储电容的一端,第二极与参考电压端相连接;

所述第二晶体管的栅极连接复位信号输入端,第一极连接所述存储电容的另一端,第二极与所述参考电压端相连接;

所述第三晶体管的栅极连接栅线,第一极连接数据线,第二极与所述存储电容的一端相连接;

所述第四晶体管的栅极连接所述栅线,第一极连接所述存储电容的另一端,第二极与所述第五晶体管的第二极相连接;

所述第五晶体管的栅极连接所述存储电容的另一端,第一极连接第一电压端,第二极与所述第四晶体管的第二极相连接;

所述第六晶体管的栅极连接所述发光控制信号输入端,第一极连接所述第五晶体管的第二极,第二极连接所述发光器件的阳极;

所述发光器件的阴极连接第二电压端。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为P型晶体管;或,

所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为N型晶体管。

3.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的第一极均为源级,第二极均为漏级。

4.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路,其特征在于,所述晶体管包括耗尽型晶体管或增强型晶体管。

5.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管。

6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一所述像素电路。

7.一种像素电路驱动方法,其特征在于,包括驱动如权利要求1-5任一项所述的像素电路的方法,所述方法还包括:

导通第二晶体管,将参考电压端输入的电压信号传输至第五晶体管的栅极,并存入存储电容中;

导通第三晶体管,将数据线输入的数据电压通过所述第三晶体管传输至所述第三晶体管的第二极,并保存至所述存储电容中;导通第四晶体管,将所述第五晶体管的栅极和第二极进行导通,对所述第五晶体管的栅极进行电压写入;

导通第一晶体管、所述第五晶体管和第六晶体管,通过所述第五晶体管和所述第六晶体管的电流驱动发光器件发光。

8.根据权利要求7所述的像素电路驱动方法,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为P型晶体管;或,

所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为N型晶体管。

9.根据权利要求7或8所述的像素电路驱动方法,其特征在于,所述晶体管包括耗尽型晶体管或增强型晶体管。

10.根据权利要求9所述的像素电路驱动方法,其特征在于,当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为P型耗尽型晶体管时,控制信号的时序包括:

重置阶段:复位信号端输入的电压信号为低电平,栅线输入的电压信号、数据线输入的数据电压以及发光控制信号输入端输入的电压信号为高电平;

写入阶段:所述栅线输入的电压信号为低电平,所述数据线输入的数据电压、所述复位信号端输入的电压信号以及所述发光控制信号输入端输入的电压信号为高电平;

发光阶段:所述数据线输入的数据电压、所述发光控制信号输入端输入的电压信号为低电平,所述栅线输入的电压信号、所述复位信号端输入的电压信号为高电平。

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