[发明专利]一种只读存储单元和只读存储器

说明书

一种只读存储单元和只读存储器，所述只读存储单元包括：晶体管、字线、第一位线、第二位线和差分灵敏放大器，所述字线与所述晶体管的栅端连接，所述晶体管的漏端根据所述只读存储单元中存储的信息，与所述第一位线或者所述第二位线连接，且所述第一位线和所述第二位线还分别与所述差分灵敏放大器的正向输入端和反向输入端连接。上述的方案可以提高只读存储单元的读取速度，且减小只读存储单元所占用的面积。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种只读存储单元和只读存储器。

背景技术

只读存储器(Read-Only Memory，ROM)，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而丢失ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

现有的ROM单元通常只有一条位线，通常存在着读取速度缓慢或者读取精度低且占用面积大的问题。

发明内容

本发明实施例解决的是如何提高只读存储单元的读取进度和速度，并减小只读存储单元所占用的面积。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种只读存储单元，所述只读存储单元包括：

晶体管、字线、第一位线、第二位线和差分灵敏放大器，所述字线与所述晶体管的栅端连接，所述晶体管的漏端根据所述只读存储单元中存储的信息，与所述第一位线或者所述第二位线连接，且所述第一位线和所述第二位线还分别与所述差分灵敏放大器的正向输入端和反向输入端连接。

可选地，所述晶体管的漏端根据所述只读存储单元中存储的信息，与所述第一位线或者所述第二位线连接，包括：

当所述只读存储单元中存储的信息为0时，所述第一位线与所述晶体管的漏端连接

当所述只读存储单元中存储的信息为1时，所述第二位线与所述晶体管的漏端连接。

可选地，所述晶体管为金氧半场效晶体管。

本发明实施例还提供了一种只读存储器，包括只读存储单元，其中，所述只读存储单元包括：

晶体管、字线、第一位线、第二位线和差分灵敏放大器，所述字线与所述晶体管的栅端连接，所述晶体管的漏端根据所述只读存储单元中存储的信息，与所述第一位线或者所述第二位线连接，且所述第一位线和所述第二位线还分别与所述差分灵敏放大器的正向输入端和反向输入端连接。

可选地，所述晶体管的漏端根据所述只读存储单元中存储的信息，与所述第一位线或者所述第二位线连接，包括：

当所述只读存储单元中存储的信息为0时，所述第一位线与所述晶体管的漏端连接；

当所述只读存储单元中存储的信息为1时，将所述第二位线与所述晶体管的漏端连接。

可选地。所述晶体管为金氧半场效晶体管。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下的优点：

通过为只读存储单元设置两条位线—第一位线和第二位线，并根据所述只读存储单元待发送的数据的信息，将晶体管的漏端与第一位线或者第二位线连接，且将所述第一位线和第二位线均预充电至高电平状态，当第一位线或者第二位线与晶体管的漏端连接时，第一位线与第二位线之间便会构成相应的差分信号，输入差分灵敏放大器进行信号的读取，这种采用内部产生的差分信号进行只读存储单元的读取方式，可以避免与相应的外部参考信号产生单元之间的匹配问题，并可以提高读取速度，且减小只读存储单元所占用的面积。

附图说明