[发明专利]一种电流源校准电路

说明书

技术领域

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种电流源校准电路。

背景技术

在集成电路设计中，电流源的应用十分广泛，例如电流舵DAC中就需要大量精确的电流源。精确的电流源不仅可以提高电子产品的性能，而且在制造中由于较小的变化范围也有利于提高产量。但是由于目前的电流源多由电压除以电阻产生，而芯片内电阻变化很大，有时甚至高达50％以上，所以对电流源进行校准就非常有必要了。

目前为了得到精确电流源，最常用的方法是使用一个精确的外部电阻，从而产生一个精确的电流源。这种方法在所需电流源个数很少时经常使用。但是如果我们的电路中需要使用大量的电流源阵列时，这种方法就需要使用大量的外部电阻，大大增加了成本。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种电流源校准电路，以提高电流源的精度。

一种电流源校准电路，包括由运算放大器amp1、三极管Q1、Q2和电阻R1、R2、R3、R4、R5组成的电流源电路以及由三极管Q10、NMOS管M0、M1、M2、M3、M4、M5，开关S1、S2、S3、S4、S5和电阻R10、R11组成的校准电路；

其中，运算放大器amp1的正输入端通过电阻R1接入GND的同时，接三极管Q1的集电极，运算放大器amp1的负输入端接基准电压VREF，运算放大器amp1输出端接三极管Q1、Q2、Q10的基极；三极管Q1发射极接电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3；电阻R3的另一端接电源VDD；三极管Q2集电极接电流源模块输出端I1，发射极接电阻R4的一端；电阻R4的另一端接电阻R5的一端同时接开关S1～S5的共有端；电阻R5的另一端接电源VDD；NMOS管M0的源极接地，栅极与漏极相接同时接三极管Q10的集电极和NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的栅极；三极管Q10基极接运算放大器amp1的输出端，发射极接电阻R10的一端；电阻R10的另一端与电阻R11相接；电阻R11的另一端接电源VDD；NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的源极都接地，漏极分别接到开关S1、S2、S3、S4、S5的一端；开关S1、S2、S3、S4、S5的另一端互相连接且接入R4和R5的相接端。

进一步的，所述运算放大器amp1为一级运算放大器。其中，PMOS管M10的源极接电源VDD，栅极和漏极相接，并接到PMOS管M11的栅极和NMOS管M12的漏极；PMOS管M11的源极接电源VDD，漏极接运算放大器amp1的输出VOUT；NMOS管M12的栅极接运算放大器amp1的正输入端INP，源极接NMOS管M13的源极以及电阻R10的一端；电阻R10的另一端接地；NMOS管M13的栅极接运算放大器amp1的负输入端INN，漏极接运算放大器amp1的输出端VOUT。

进一步的，所述NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的宽长比W/L的比例为1:2:4:8:16，NMOS管M0的宽长比W/L则没有限制。

进一步的，所述开关S1、S2、S3、S4、S5为金属熔丝或者栅极受外部输入控制的MOS管。

本发明提供的电流源校准电路，在提高电流源精度和可靠性的同时，结构简单且容易实现，具有较高的实际应用价值。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的电流源校准电路的结构示意图。

图2为本发明提供的电流源校准电路中的运算放大器amp1的电路图。

具体实施方式

本发明公开了一种电流源校准电路，本发明提供的电流源校准电路无需使用外部电阻，并且具有校准线性度好、结构简单等优点，提高了电流源的精度，降低了电流源的校准成本。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。