[发明专利]晶体振荡器

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体振荡器，该晶体振荡器对晶体振子所放置的环境的温度进行检测，根据温度的检测结果对加热部进行控制而使所述环境的温度为固定。

背景技术

晶体振荡器在装入到被要求高的频率稳定度的应用(application)中的情况下，有时构成为恒温晶体振荡器(oven controlled crystal oscillator，OCXO)。图8中作为一例，表示OCXO100的方块图。关于OCXO100的各部，因将在实施方式中进行说明，所以在该背景技术的项目中，视需要仅对各部的概要进行说明。另外，专利文献1中也记载了大致相同构成的OCXO。

该OCXO100中，利用来自使设置于恒温槽内的第一晶体振子10振荡的第一振荡电路11的振荡频率、与来自使第二晶体振子20振荡的第二振荡电路21的各振荡频率之差，计算恒温槽内的温度。而且，以恒温槽内的温度为所述第一晶体振子的零温度系数(Zero-Temperature Coefficient，ZTC)点的方式，进行振子用加热器52的控制。

所述第一振荡电路11及第二振荡电路21包含于例如大规模集成电路(large-scale integration，LSI)(集成电路)中。而且所述ZTC点为关于晶体振子的振荡频率，将从基准温度下的振荡频率算起的变化量设定为纵轴、进而将温度变化设定为横轴时的曲线的拐点(inflection point)。所述振子用加热器对所述晶体振子的温度进行控制以使其与该ZTC点一致，由此可极力减小相对于温度的频率变动。

OCXO100中，来自与如所述那样得到温度控制的所述第一晶体振子10连接的第一振荡电路11的输出作为时钟而供给到所述LSI的各部中。

然而，此种OCXO100中，如果使构成各振荡电路11、振荡电路21的LSI离开各晶体振子10、晶体振子20而设置，则所述晶体振子的温度与所述振荡电路的温度产生背离。而且，振荡电路11、振荡电路21中具有输出频率相对于温度的变动特性。因此，认为在引起恒温槽的外部的温度发生变动时所述LSI的温度会发生变动，由此来自所述振荡电路11、振荡电路21的输出频率发生变动。即，OCXO100的温度特性有可能劣化。

在各晶体振子10、晶体振子20为小型，进而以具有小型的恒温槽的方式构成所述OCXO100的情况下，也考虑进行如下处置，即，将晶体振子与LSI的距离相对接近地加以配置，从而所述晶体振子10、晶体振子20的温度与形成振荡电路11、振荡电路21的LSI的温度的背离相对地得到抑制。然而，如例如恒温槽为大型，且各晶体振子10、晶体振子20大，而该些晶体振子10、晶体振子20无法收纳于1个壳体中的情况下等，有时无法如所述那样以温度的背离得到抑制的方式配置第一晶体振子10及第二晶体振子20与LSI。该情况下，尤其担心所述OCXO100的温度特性的劣化。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2013-51677号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明在所述情况下完成，其目的在于提供一种晶体振荡器，该晶体振荡器对晶体振子所放置的环境的温度进行检测，根据温度的检测结果对加热部进行控制而使所述环境的温度为固定，且可获得频率的稳定度高的振荡输出。

[解决问题的手段]

本发明的晶体振荡器包括：

第一晶体振子；

第一振荡电路，用以使所述第一晶体振子振荡；

振子用温度检测部，用以对所述第一晶体振子所放置的环境的温度进行检测；

振子用加热部，为了以所述第一晶体振子所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振子用温度检测部的检测温度控制其输出；

振荡电路用温度检测部，为了对所述第一振荡电路所放置的环境的温度进行检测而与振子用温度检测部分开地设置；以及

振荡电路用加热部，为了以所述第一振荡电路所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振荡电路用温度检测部的检测温度，与所述振子用加热部独立地控制其输出。

[发明的效果]