[发明专利]一种中空结构熔断器的制造方法

说明书

技术领域

本发明属于电路保护元件领域，尤其涉及一种中空结构熔断器的工业制造方法。

背景技术

表面贴装熔断器主要两大类型：中空结构熔断器及固体器件型熔断器。中空结构熔断器，熔丝(导线)悬挂在中空的外壳中。熔丝的两端与端头电极以不同的方式固定，具有电阻小、耗能低等特点。

美国专利US2010245025(A1)揭示的一种类型熔断器包括一个外壳，两个端头金属帽，及一根延伸至外壳及端帽外的熔丝，熔丝在端头金属帽外表面弯曲形成电连接，熔断器在焊接到PCB板上时，焊接使用的锡膏将熔丝、端头金属帽以及PCB板连接成一体。此种熔断器采用外壳与金属帽之间逐个组装而成，生产效率较低。

另一种，多层压和结构保险丝，将熔丝悬置基体内，基体封装采用粘结剂压合固化方式，空腔部分采用机加工方式或多层叠压(CN1848351)形成，繁琐，成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种中空结构熔断器的制造方法，以解决现有技术工序复杂，生产效率低的问题。

为实现上述目的，本发明第一方面提供了一种中空结构熔断器的制造方法，所述方法包括如下步骤：

A、将一整片金属加工制成多个相连的待切割部；

B、分别整板注塑形成具有多个相连的上外壳的上盖板和具有多个相连的下外壳的下盖板，所述上外壳和/或所述下外壳具有大凹槽，所述上外壳的大凹槽和/或所述下外壳的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，所述上外壳相连的地方和所述下外壳相连的地方均具有通透分割区；

C、将所述待切割部放置于所述上外壳和所述下外壳组成的壳体中，并整板粘合所述上盖板和所述下盖板，所述待切割部的中间部分横跨所述小凹槽且其中段悬挂在所述上外壳的大凹槽和/或所述下外壳的大凹槽组成的空腔中；

D、沿所述通透分割区分割所述上盖板和所述下盖板，并将位于所述壳体外的待切割部弯折形成外电极。

在第一方面的一种优选方式中，所述A步骤还包括对所述待切割部的中间部分进行局部电镀。

本发明第二方面还提供了另一种中空结构熔断器的制造方法，所述方法包括如下步骤：

A、将一整片金属加工制成多个相连的金属部，所述金属部包括两端部和位于两端部之间的两个具有一定间隙的连接体，将一导电体连接于两个所述连接体之间；所述金属部和所述导电体形成待切割部；

B、分别整板注塑形成具有多个相连的上外壳的上盖板和具有多个相连的下外壳的下盖板，所述上外壳和/或所述下外壳具有大凹槽，所述上外壳的大凹槽和/或所述下外壳的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，所述上外壳相连的地方和所述下外壳相连的地方均具有通透分割区；

C、将所述待切割部放置于所述上外壳和所述下外壳组成的壳体中，并整板粘合所述上盖板和所述下盖板，所述连接体横跨所述小凹槽且所述导电体悬挂在所述上外壳的大凹槽和/或所述下外壳的大凹槽组成的空腔中；

D、沿所述通透分割区切割所述上盖板和所述下盖板，并将位于所述壳体外的待切割部弯折形成外电极。

在第二方面的一种优选方式中，所述A步骤中采用高温焊锡、电容脉冲放电点焊或超声波焊将所述导电体连接于两个所述连接体之间。

在第二方面的一种优选方式中，所述导电体为直丝型或螺旋形。

在第一或第二方面的一种优选方式中，所述A步骤还包括对所述待切割部的端部进行金属表面电镀。

在第一或第二方面的一种优选方式中，所述对整片金属加工是通过冲压、光刻或蚀刻的方式进行的。

在第一或第二方面的一种优选方式中，所述D步骤包括：

D1、沿同一方向的所述通透分割区切割所述上盖板和所述下盖板；

D2、将位于所述壳体外的待切割部整板弯折形成外电极；

D3、沿与D1中的方向相垂直的方向分割所述上盖板和所述下盖板，形成单个熔断器。

优选的，所述D3步骤为沿与D1中的方向相垂直的方向锣边或切割所述上盖板和所述下盖板及对应位置处的待切割部，形成单个熔断器。

在第一或第二方面的一种优选方式中，所述A步骤中将一整片金属加工制成多个相连的金属线框。

由此可见，本发明实施例提供的中空结构熔断器的制造方法，上下外壳注塑成型，提高了效率，且外电极由金属线框端子直接弯折形成，解决了套帽连接及金属化的繁琐。而且采用整板注塑的方式能够一次制造多个熔断器，相比现有技术提高了生产效率。

附图说明