[发明专利]自动电位降补偿系统、电位控制器,以及电路自动配置和布线方法有效

专利信息
申请号: 201410414452.4 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN105468069B 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 李永胜 申请(专利权)人: 上海兆芯集成电路有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;李岩
地址: 201203 上海市张*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 自动 电位 补偿 系统 控制器 以及 电路 配置 布线 方法
【说明书】:

一种自动电位降补偿系统,包括:一稳压器以及一电位控制器。该稳压器耦接至一参考电位,并根据该参考电位于一输出节点提供一输出电位。该电位控制器检测一远端电路的一接收节点的一接收电位,其中若该接收电位小于该参考电位减去一第一差值,则该电位控制器即对该接收节点进行充电以提高该接收电位,若该接收电位在进行充电后提高到该参考电位减去一第二差值,则该电位控制器停止对该接收节点进行充电。其中该远端电路的该接收节点经由一传输路径耦接至该输出节点,而该传输路径具有一电阻值。

技术领域

发明是关于一种电位降补偿系统,特别是关于可弥补电路中布线传输损耗的自动电位降补偿系统。

背景技术

在传统电路布局中,单一电源供应器通常须通过不同布线耦接至不同电路单元,其中,有些电路单元与电源供应器距离较近,而有些电路单元与电源供应器距离较远。

对于距离电源供应器较远的电路单元而言,由于其所连接的布线甚长,布线本身的电阻及流经的电流将因欧姆定律而产生不可忽略的一电位降(Voltage Drop)。此电位降会改变实际供应至电路单元的电位,进而可能降低电路单元的工作性能。

发明内容

为了解决先前技术的缺陷,在较佳实施例中,本发明提供一种自动电位降补偿系统,包括:一稳压器,耦接至一参考电位,并根据该参考电位于一输出节点提供一输出电位;以及一电位控制器,检测一远端电路的一接收节点的一接收电位,其中若该接收电位小于该参考电位减去一第一差值,则该电位控制器即对该接收节点进行充电以提高该接收电位,若该接收电位在进行充电后提高到该参考电位减去一第二差值,则该电位控制器停止对该接收节点进行充电,其中该远端电路的该接收节点经由一传输路径耦接至该输出节点,而该传输路径具有一电阻值。

在一些实施例中,该电位控制器包括:一电容器,耦接于该接收节点和一接地节点之间;一切换器,耦接于一电源节点和该接收节点之间;以及一比较器,根据该接收电位,选择性地导通或断开该切换器。在一些实施例中,若该接收电位触及该参考电位减去该第一差值,则该比较器即导通该切换器使该电容器根据该电源节点进行充电,而若该接收电位于该电容器进行充电后触及该参考电位减去一第二差值,则该比较器即断开该切换器以停止对该电容器进行充电,其中该第一差值大于该第二差值

在一些实施例中,该比较器包括:一第一晶体管,其中该第一晶体管的一控制端用于接收该接收电位,该第一晶体管的一第一端耦接至该接地节点,而该第一晶体管的一第二端耦接至一比较输出节点;一第二晶体管,其中该第二晶体管的一控制端耦接至一比较内部节点,该第二晶体管的一第一端耦接至该接地节点,而该第二晶体管的一第二端耦接至该比较输出节点;一第三晶体管,其中该第三晶体管的一控制端耦接至该比较输出节点,该第三晶体管的一第一端耦接至该接地节点,而该第三晶体管的一第二端耦接至该比较内部节点;一第四晶体管,其中该第四晶体管的一控制端用于接收该参考电位,该第四晶体管的一第一端耦接至该接地节点,而该第四晶体管的一第二端耦接至该比较内部节点;一第五晶体管,其中该第五晶体管的一控制端耦接至该比较内部节点,该第五晶体管的一第一端耦接至该电源节点,而该第五晶体管的一第二端耦接至该比较输出节点;以及一第六晶体管,其中该第六晶体管的一控制端耦接至该比较输出节点,该第六晶体管的一第一端耦接至该电源节点,而该第六晶体管的一第二端耦接至该比较内部节点。

在一些实施例中,该切换器包括:一反相器,其中该反相器的一输入端耦接至该比较输出节点;以及一第七晶体管,其中该第七晶体管的一控制端耦接至该反相器的一输出端,该第七晶体管的一第一端耦接至该电源节点,而该第七晶体管的一第二端耦接至该电容器。在一些实施例中,该稳压器包括:一运算放大器,其中该运算放大器的一第一输入端耦接至该输出节点,而该运算放大器的一第二输入端用于接收该参考电位;以及一第八晶体管,其中该第八晶体管的一控制端耦接至该运算放大器的一输出端,该第八晶体管的一第一端耦接至该电源节点,而该第八晶体管的一第二端耦接至该输出节点;以及一电阻器,耦接于该输出节点和该接地节点之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海兆芯集成电路有限公司,未经上海兆芯集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410414452.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top