[发明专利]一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法

权利要求书

1.一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于具体操作步骤如下：

（1）去污除油

把经过机械抛光后的镁合金盖板放置于丙酮溶液中，室温下超声清洗20～30分钟，取出用水冲洗干净；

（2）碱性除油

将经过去污除油的镁合金盖板在温度65～75℃，在除油溶液中浸蚀1～3 分钟，取出用水冲洗干净；

（3）酸洗浸蚀

将经过去污除油的镁合金盖板在40 ℃酸洗浸蚀溶液中浸泡1～2分钟，并轻微搅拌，取出用水冲洗干净；

（4）活化

室温下，将经过酸性浸蚀处理的镁合金盖板在活化溶液中浸泡90～180秒，取出用水冲洗干净；

（5）微弧氧化

将经过活化处理的镁合金盖板在硅酸钠碱性电解液中进行微弧氧化，整个氧化过程用恒电流控制，电流密度为10 A/dm²，对电解溶液进行搅拌，温度为20～40 ℃，氧化时间为12～20分钟，在镁合金表面形成微弧氧化陶瓷膜层，其厚度10～15 μm，取出用水冲洗干净，干燥保存；

（6）填充封孔

将经过微弧氧化处理的镁合金盖板在80℃的溶胶封孔剂中浸泡5～10分钟，使溶胶封孔剂浸入镁合金微弧氧化陶瓷膜层的微孔，形成有效封孔，用蒸馏水冲洗干净；

（7）磁控溅射真空镀

在微弧氧化陶瓷膜层表面磁控反应溅射沉积铬钛银（Cr/Ti/Ag）的复合金属多层膜；磁控反应溅射的真空室内平行设有铬（Cr）靶、银（Ag）靶和钛（Ti）靶；在真空室内的转架台上放置已经填充封孔处理好的镁合金盖板，控制转架台转速15 rpm，调节基底与靶材间的距离为8～12 cm；真空室内的真空达到10^-4数量级，工作气氛为纯氩气，控制氩气流量为10～30 sccm，保持气压在0.25～0.45 Pa；

调整基底温度为120 ℃，开启钛（Ti）靶电源，钛（Ti）靶的电流为0.05 A、负偏压100～200 V，磁控反应溅射150～300秒，在所述微弧氧化涂层上沉积纯钛（Ti）结合层；调整基底温度在150 ℃，控制氩气流量在12～16 sccm，开启铬（Cr）靶电源，铬（Cr）靶的电流为0.3 A、调整负偏压为0～50 V，磁控反应溅射30～60秒，在纯钛（Ti）结合层上形成铬单层，接着在铬单层表面用纯钛结合层工艺参数溅射沉积钛单层，溅射时间控制为15～30秒，铬单层和钛单（Ti）层组成铬钛膜层；制作铬钛膜层8～15层；调整基底温度至180 ℃，开启银靶电源，银靶的电流为0.50 A，负偏压150～220 V，磁控反应溅射5～15分钟；在最后沉积的铬钛多层膜层上沉积导电银（Ag）膜层，所述导电银（Ag）膜层的厚度为0.2～0.6 μm；所述铬钛膜层和导电银（Ag）膜层组成复合金属多层膜，所述复合金属多层膜的厚度为3～5 μm。

2.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述除油溶液由40 g/L氢氧化钠、20 g/L磷酸钠或10 g/L焦磷酸钠、5 g/L硬脂酸甘油酯和水配制而成。

3.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述酸洗浸蚀溶液由120～150 g/L氢氧化钠、20～30 g/L草酸纳、10～30 g/L硝酸钠、2～5 g/L十二烷基磺酸钠和去离子水配制组成。

4.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述活化溶液由30 mL/L氢氟酸、60 mL/L冰乙酸和去离子水配制而成。

5.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述硅酸钠碱性电解液由20 g/L氢氧化钠、20 g/L五水硫酸铜、80 g/L硅酸钠、25 g/L四硼酸钠、25 g/L柠檬酸三钠、5 mL/L甘油、2 g/L氟化钠、5 g/L酒石酸钠、10 g/L硼砂和去离子水配制组成。

6.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述溶胶封孔剂由30～45 g/L硅酸钠、2-5 g/L盐酸和乙醇组成，其中乙醇为溶剂，盐酸为催化剂。