[发明专利]一种蔓越莓扦插苗单株密植栽培方法

权利要求书

1.一种蔓越莓扦插苗单株密植栽培方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：

一、育苗：向pH值为4.0～5.5的草炭土中，扦插7～8cm的2年生以上蔓越莓藤茎，置于日光温室中培育成幼苗；

二、选地：选择小于7.0～7.5℃积冷量在800小时以上的冷凉地区、地下水埋深为40～60cm以及土壤pH值为4.0～5.5的酸性草炭地上种植步骤一培养的蔓越莓幼苗；

三、整地：采用机械翻耕清除草根，然后用圆盘耙对地表耙地；

四、定植：选择步骤一培养至3～4个月的蔓越莓健壮扦插苗，以株距为15～18cm、行距15～18cm的条件，进行定植，每穴定植1株，定植深度为8～12cm，定植后踏实；

五、田间管理：定植当年不施肥，以后测土施肥，保持土壤不积水，直至成苗。

2.根据权利要求1所述的一种蔓越莓扦插苗单株密植栽培方法，其特征在于步骤三中机械翻耕的深度为15～20cm。

3.根据权利要求1所述的一种蔓越莓扦插苗单株密植栽培方法，其特征在于步骤二中的选地为：选择小于7.2℃积冷量在800小时以上的冷凉地区、地下水埋深为45～55cm以及土壤pH值为4.0～5.5的酸性草炭地上种植步骤一培养的蔓越莓幼苗。

4.根据权利要求1所述的一种蔓越莓扦插苗单株密植栽培方法，其特征在于步骤四中的定植为：选择步骤一培养至3～4个月的蔓越莓健壮扦插苗，以株距为15～17cm、行距15～17cm的条件，进行定植，每穴定植1株，定植深度为10cm，定植后踏实。

5.根据权利要求1所述的一种蔓越莓扦插苗单株密植栽培方法，其特征在于步骤三中的整地是在定植前一年杂草生长盛期、杂草种子成熟以前进行的。