[发明专利]研磨片酸腐蚀方法在审
申请号: | 201410370768.8 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN105297017A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 苟钦泽;江笠 | 申请(专利权)人: | 上海合晶硅材料有限公司 |
主分类号: | C23F1/24 | 分类号: | C23F1/24 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人: | 李强 |
地址: | 201617 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 酸腐 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种研磨片酸腐蚀方法。
背景技术
研磨片酸腐蚀工艺中,酸的消耗是生产成本高的一个重要原因。在每片研磨片的酸腐蚀过程中,以及每次酸腐蚀工艺完成后,剩余的混合酸溶液中尚有部分酸未使用,在现有技术中,只能完全丢弃,无法继续使用,这是造成生产成本高的原因之一。
发明内容
本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足,提供一种可循环使用混合酸溶液的研磨片酸腐蚀的方法。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案实现:
研磨片酸腐蚀方法,其特征在于,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:5-15%氢氟酸,30-40%硝酸,20-25%冰醋酸,其余为水;每腐蚀20-40um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的1.5-2.5倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的1.5-2倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。
优选地是,使用的氢氟酸体积浓度为45-50%。
优选地是,使用的硝酸浓度为65-75%。
优选地是,使用的冰醋酸浓度为100%。
本发明中的研磨片酸腐蚀方法,可将酸的总用量降低15%以上。
具体实施方式
下面对本发明进行详细的描述:
实施例1
研磨片酸腐蚀方法,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:7%氢氟酸,35%硝酸,20%冰醋酸,其余为水;每腐蚀25um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的1.8倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的1.5倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。使用的氢氟酸体积浓度为45%。使用的硝酸浓度为65%。使用的冰醋酸浓度为100%。
实施例2
研磨片酸腐蚀方法,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:10%氢氟酸,35%硝酸,23%冰醋酸,其余为水;每腐蚀30um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的2倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的1.5倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。使用的氢氟酸体积浓度为47%。使用的硝酸浓度为70%。使用的冰醋酸浓度为100%。
实施例3
研磨片酸腐蚀方法,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:9%氢氟酸,35%硝酸,22%冰醋酸,其余为水;每腐蚀30um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的1.7倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的1.8倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。使用的氢氟酸体积浓度为49%。使用的硝酸浓度为70%。使用的冰醋酸浓度为100%。
实施例4
研磨片酸腐蚀方法,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:15%氢氟酸,40%硝酸,20%冰醋酸,其余为水;每腐蚀20um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的1.5倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的2倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。使用的氢氟酸体积浓度为50%。使用的硝酸浓度为65%。使用的冰醋酸浓度为100%。
实施例5
研磨片酸腐蚀方法,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:5%氢氟酸,30%硝酸,25%冰醋酸,其余为水;每腐蚀40um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的2.5倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的1.5倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。使用的氢氟酸体积浓度为50%。用的硝酸浓度为75%。用的冰醋酸浓度为100%。
实施例6
研磨片酸腐蚀方法,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:10%氢氟酸,32%硝酸,24%冰醋酸,其余为水;每腐蚀30um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的1.9倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的1.6倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。使用的氢氟酸体积浓度为48%。使用的硝酸浓度为69%。使用的冰醋酸浓度为100%。
实施例7
研磨片酸腐蚀方法,使用混合酸溶液腐蚀研磨片,混合酸溶液按体积百分比包括:11%氢氟酸,36%硝酸,23%冰醋酸,其余为水;每腐蚀35um硅后补充一次腐蚀液;氢氟酸补充量为消耗量的1.7倍;硝酸补充量为补充的氢氟酸量的1.8倍;冰醋酸补充量与氢氟酸补充量相同。使用的氢氟酸体积浓度为48%。使用的硝酸浓度为70%。使用的冰醋酸浓度为100%。
本发明中的酸腐蚀分两步腐蚀
第一步:硝酸氧化硅,生成SiO2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海合晶硅材料有限公司,未经上海合晶硅材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410370768.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种液晶显示器用蚀刻液的制备方法
- 下一篇:一种立柱内孔的熔覆方法