[发明专利]一种金属化薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及电容器技术领域，具体涉及一种金属化薄膜。

背景技术

电容器是在电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。金属化薄膜是电容器的重要材料。目前市场生产的金属化薄膜种类很多，特别是铝锌边缘加厚金属化薄膜，它的镀层结构主要是由铝锌镀层构成的中间加厚区和及位于两侧的活动区。加厚区方阻一般为2～4Ω/□，活动区金属镀层厚度一致，方阻相同，一般为5～10Ω/□。这种薄膜由于其活动区方阻均匀且金属层厚方阻大，金属层所需自愈能量较大，自愈困难,抗电强度下降，从而易发生击穿，电容器厂家往往增加介质(光膜)厚度来增加抗电强度,因此，加大了生产成本。

在中国专利申请号：200410083018中公开了一种渐变方阻金属化膜和包含该金属化膜的电容器，其渐变方阻金属化膜，包括聚合物基膜，和在该基膜上形成的由Al和Zn构成的金属镀层,镀层的厚度在基膜宽度方向由两侧向中间逐渐加厚，使得其方阻由两侧向中间逐渐减小。用该金属化膜制作的电容器各区域自愈点发热量较均匀，提高电容器的使用寿命、自愈性能及耐压性能，并可降低电容器生产成本。但是，该技术方案虽然其活动区即方阻渐变区的金属镀层由中间向两侧递减，使得方阻逐渐增大，抗电强度有所提高，但是方阻大的区域的锌极易氧化，所以镀层无法镀的太薄，因此，这种结构的金属化薄膜也难以提高其抗电强度。

在中国专利申请号：201020583747中公开了一种超高方阻金属化薄膜,包括聚合物基膜,和在该基膜上通过汽相沉淀法形成的由Al和/或Zn构成金属镀层,所述金属镀层区域在基膜宽度方向上包括中间加厚区以及位于加厚区两侧的方阻渐变区；基膜留边区与方阻渐变区之间设有金属镀层厚度一致且方阻大于方阻渐变区的超高方阻区。该技术方案的金属化薄膜抗电强度高，自愈能力强，可以适用于制造较高额定电压的电容器。但是，该技术方案的抗涌流能力差、承载电压不稳定时波峰电压较弱。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种自愈能力强、抗涌流能力好、承载电压不稳定时波峰电压较强的金属化薄膜。

为了解决上述问题，本发明提供的技术方案为：

一种金属化薄膜，包括聚合物基膜，和在该基膜上形成的金属镀层，在所述基膜宽度方向，所述金属镀层的厚度呈现中间减薄、两侧加厚。使得其方阻相对现有技术而言，中间增加、两侧减小。

优选的，所述金属镀层的中间区厚度为6—7mm，方阻值为25—28Ω/□，两侧区厚度为6.5—7.5mm，方阻值为1.0—1.5Ω/□。

最优的，所述金属镀层的中间区厚度为6.8mm，方阻值为27.5Ω/□，两侧区厚度为7.2mm，方阻值为1.4Ω/□。

最优的，所述金属镀层的中间区厚度为6.2mm，方阻值为26.5Ω/□，两侧区厚度为6.8mm，方阻值为1.2Ω/□。

中间区采用高方阻，该类薄膜电容器有自愈特性，自愈时产生热量，要通过热量把毗点烧掉，恢复自愈特性，采用高方阻则表面蒸镀的金属层很薄，发热量小，自愈时发热量小。经过试验采取此方案，内外温差在4—6°。边缘区加厚提高抗涌流能力、承载电压不稳定时波峰电压较强，两层薄膜卷绕在芯体两端部电极与喷金层接触更紧密。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明的金属化薄膜的自愈能力强、抗涌流能力好、承载电压不稳定时波峰电压较强，两层薄膜卷绕在芯体两端部电极与喷金层接触更紧密,且结构简单，成本低。

附图说明

图1为本发明实施例1的结构示意图。

图中：1、中间区，2、两侧区，3、基膜，4、金属镀层。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明：

实施例1：

结合图1，一种金属化薄膜，包括聚合物基膜3，和在该基膜3上形成的金属镀层4，在基膜3宽度方向，金属镀层4的厚度呈现中间减薄、两侧加厚。使得其方阻相对现有技术而言，中间增加、两侧减小。

金属镀层的中间区1厚度为6.8mm，方阻值为27.5Ω/□，两侧区2厚度为7.2mm，方阻值为1.4Ω/□。

实施例2：

一种金属化薄膜，包括聚合物基膜，和在该基膜上形成的金属镀层，在基膜宽度方向，金属镀层的厚度呈现中间减薄、两侧加厚。使得其方阻相对现有技术而言，中间增加、两侧减小。

金属镀层的中间区厚度为6.2mm，方阻值为26.5Ω/□，两侧区厚度为6.8mm，方阻值为1.2Ω/□。