[发明专利]含氯尾气处理装置有效

专利信息
申请号: 201410343066.0 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN104069731A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 罗跃辉 申请(专利权)人: 贵州大龙银星汞业有限责任公司
主分类号: B01D53/78 分类号: B01D53/78;B01D53/68;B01D46/30
代理公司: 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 代理人: 袁庆云
地址: 554001 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 尾气 处理 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及化工设备技术领域,具体来就涉及一种含氯尾气处理装置。

 

背景技术

现有的含氯尾气处理通常是采用喷射泵和反应釜的组合装置进行处理,在喷射泵的出口行程中进行气液混合,吸收液为氢氧化钠溶液,生成物为次氯酸钠溶液;由于这种方法生产的次氯酸钠有效氯含量低、稳定性差,特别是有氯化汞合成尾气生产时,会含有剧毒氯化汞,使用时易造成汞污染扩散;使这种次氯酸钠难以应用于次氯酸钠的常规应用领域,需要再进行分解和综合利用。因而其资源利用率低,尾气处理成本高。

 

发明内容

本发明的目的在于克服上述缺点而提供的一种能实现分解液闭路循环使用和资源性利用、尾气达标排放的含氯尾气处理装置。

本发明的一种含氯尾气处理装置,包括还原过滤器、沉淀箱和排气管,其中:还原过滤器由气腔A、还原过滤层A、气腔B、还原过滤层B、气腔构成,还原过滤层由两侧的孔板及孔板间填充填料构成,喷液管一端通过管道与泵出口连接、另一端置于还原过滤层顶端填料内,还原过滤层底部设有放还原剂阀,还原过滤层顶端设有盖板;尾气入口管与气腔A连通,沉淀箱下部出口通过管道和泵进口连通,还原过滤器底部与沉淀箱顶部通过管道连通;排气管经风机与气腔连通;沉降箱顶部设有加碱口。

孔板上布满孔,喷液管为多孔管,还原过滤层内的填料为海绵铁颗粒。

    本发明与现有技术相比,具有明显的有益效果,从以上技术方案可知:本发明工艺简单,吸收、还原、过滤在一套装置中完成,特别是经过溶液冷却,尾气温度下降,可使氯化汞饱和蒸气压下降,从而有效防止氯化汞蒸气外逸,实现达标排放;本发明适宜处理的含氯尾气为氯气、二氧化氯、氯化氢。

  

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图中标记:

1、还原过滤器;2、沉淀箱;3、排气管;4、气腔A;5、还原过滤层A;6、气腔B;7、还原过滤层B;8、气腔C;9、孔板;10、填料;11、喷液管;12、泵放还原剂阀;13、盖板;14、尾气入口管;15、风机;16、加碱口;17、放还原剂阀。 

  

具体实施方式

以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的含氯尾气处理装置的具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。

本发明一种含氯尾气处理装置,包括还原过滤器1、沉淀箱2和排气管3,其中:还原过滤器1由气腔A4、还原过滤层A5、气腔B6、还原过滤层B7、气腔C8构成,还原过滤层由两侧的孔板9及孔板间填充填料10构成(还原过滤层A5、还原过滤层B7通过两侧的孔板连通气腔A4、气腔B6、气腔C8),喷液管11一端通过管道与泵12出口连接、另一端置于还原过滤层顶端填料10内,还原过滤层底部设有放还原剂阀17,还原过滤层顶端设有盖板13;尾气入口管14与气腔A4连通,沉淀箱2下部出口通过管道和泵12进口连通(通过泵12将沉淀箱内溶液打入还原过滤层A、B顶部喷液管),还原过滤器1底部与沉淀箱2顶部通过管道连通;排气管11经风机15与气腔C8连通;沉降箱2顶部设有加碱口16。

孔板3上布满孔,还原过滤层内的填料10为海绵铁(铁、氧化亚铁)颗粒。喷液管11为多孔管

工作原理如下:向沉淀箱2中加入碱液,启动泵3,将碱液打到喷液管11,喷液管11为多孔管,碱液喷出后沿还原过滤层中填料10海绵铁颗粒间的间隙向下渗透,形成“水墙”;受风机15负压的吸引,尾气经入口管进入气腔A4,气体减速扩散,经还原过滤层A5、气腔B6、还原过滤层B7、到达气腔C8,在此过程中,尾气中的粉尘被还原过滤层阻挡下来,随碱液流出到沉降箱2,尾气中的氯(或二氧化氯、氯化氢)接触碱液生成次氯酸钠,经两次“水墙”处理后的气体经风机15、排气管3排放;生成的次氯酸钠溶液是一种强氧化剂,与铁、氧化亚铁反应生成高铁酸钠;采用间断方式加碱,随着反应的进行,碱不断消耗,当碱耗净时,后续来的氯与水反应生成次氯酸和盐酸;高铁酸钠在酸性条件下极不稳定,自然分解成氯化钠、氢氧化铁和氧气;当沉降箱2中有氯化钠析出时,人工从加碱口16捞出,氢氧化铁溶液加碱后返回还原过滤器继续使用,重复上述过程。

 

以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,任何未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。 

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