[发明专利]低检出限电子流量分析测试仪在审
| 申请号： | 201410308666.3 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104101567A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 成都中远千叶科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N17/02 | 分类号： | G01N17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610100 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检出 限电 流量 分析 测试仪 | ||
【权利要求书】：
1.低检出限电子流量分析测试仪，其特征在于，主要包括：
1--恒电流电源装置，2--电解电流调控装置，3--样品溶液滴加装置，
4--样品电解电流分析装置，5--电解温度控制装置，6--溶剂电解控制装置，
7--样品杂质电解控制装置，8--溶液气体电解控制装置，9--电极损耗电解控制装置，
10--电解电子流量分析装置，11--分析结果记录装置；
其中，
溶剂电解控制装置（6）含有高电位溶剂电解电极，该电极材料为三苯乙酮六氰基五氟铪的复合电极材料，
样品杂质电解控制装置（7）含有样品杂质电解筛选膜，该电解筛选膜材料为六吡唑三盐酸胍五硼镝的纳米复合电解筛选膜，该电解筛选膜厚度为12.88um，
溶液气体电解控制装置（8）含有溶液气体电解还原电极，该电解还原电极材料为三哌嗪五嘧啶六磷钼的纳米复合电极材料。
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