[发明专利]玉米双垄沟覆膜种植技术在审

专利信息
申请号: 201410303423.0 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN105191599A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 张世峰
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G13/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 745400 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 玉米 垄沟 种植 技术
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种玉米双垄沟覆膜种植技术。属于农业种植领域。

背景技术

玉米种植一般采用露地或地膜覆盖种植,这种种植方法受墒情影响,产量低,成熟慢,田间管理难。

发明内容

本发明的目的是开发一种玉米双垄沟覆膜种植技术,其特征是在常规地膜玉米种植的基础上,在膜带上开沟播种,垄面形成两条集流沟,具有集流增墒、播期不受土壤墒情限制、增产效果明显。其种植技术如下:

1、选茬整地:选择地势平坦、土层深厚、土质疏松、肥力较好的地块,不可选玉米连作三年以上的地块,结合深翻耕亩施优质农家肥3000-5000公斤,冬前耙耱保墒。

2、顶凌覆膜:3月下旬土壤消冻时镇压浅耕耱平起隆覆膜,用划线器按100-120厘米划一带,带中央50-60厘米处开一条深15厘米、宽15厘米的施肥沟,按亩施纯氮9公斤,五氧化二磷4公斤,硫酸锌2公斤的比例将上述肥料充分混合后施入沟内,然后在施肥沟两侧各20厘米处开播种沟,播种沟间距40厘米,播种沟深5厘米,宽10厘米。在开播种沟的同时垄土自然覆盖施肥沟,埋住肥料,播种沟10厘米处开压膜沟,用宽120cm、厚0.008mm的超薄地膜覆膜,膜与膜间不留空隙,每隔2m~3m横压土腰带。

 3、品种选择:海拔在2000米以下的选择晚熟品种,海拔在2000米以上的选择早熟品种。

4、播种:当土壤表层5~10厘米处温度稳定在10℃~12℃以上,4月中旬播种,播种时在播种沟内按穴点籽播种,每穴2粒,穴距25-30厘米,覆土后膜上形成两条凹陷集流沟,待雨出苗,出苗后遇雨后及时破除板结。

5、田间管理:播种后及时检查,发现地膜破损,应在破膜处及时用土封严,当幼苗开始顶膜时,要及时破膜放苗,每孔放苗1-2株,然后用土将苗孔封严。放苗时间应在上午或下午,避开大风和中午大热天。出苗后若有缺苗,应及时移栽补苗,3-4叶期间苗,亩保苗3000-4500株,在拔节期和孕穗期适时追肥,叶面喷施0.1%-0.2%硫酸锌溶液1-2次,磷酸二氢钾1-2次,同时根据实际可结合降雨亩施尿素25-30公斤,及时清除杂草。

附图说明:图1是玉米双垄沟覆膜种植技术流程图。

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