[发明专利]用于降低待机功耗的功率转换器有效

专利信息
申请号: 201410282901.4 申请日: 2014-06-23
公开(公告)号: CN104253557B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 崔志远;柳英起;郑相焄;金海旭;张主先 申请(专利权)人: 美格纳半导体有限公司
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537;H02M5/458
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 姜长星;胡江海
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 外部开关 功率转换器 配置 降低待机功耗 并联连接 输出功率 变压器 电容器 功率切换装置 第一电容器 整流器整流 禁用信号 启用信号 整流器 转换
【权利要求书】:

1.一种功率转换器,包括:

整流器,被配置为将AC功率整流为DC功率;

变压器,被配置为通过将由整流器整流的DC功率的电压进行转换来输出功率;

脉冲宽度调制(PWM)控制模块,被配置为通过切换与变压器连接的功率切换装置来控制输出功率;

第一外部开关,被配置为提供禁用信号,第一外部开关的一端连接到PWM控制模块的VCC引脚,第一外部开关的另一端连接到PWM控制模块的DIS引脚;

第一电容器,与第一外部开关的所述一端和地并联连接;

第二外部开关,被配置为提供启用信号,第二外部开关的一端连接到PWM控制模块的所述DIS引脚,第二外部开关的另一端接地;以及

第二电容器,与第二外部开关的所述一端和地并联连接。

2.根据权利要求1所述的功率转换器,其中,响应于第一外部开关接通,PWM控制模块的VCC引脚和DIS引脚短路,并且在阈值以上的信号被施加到DIS引脚,功率转换器被配置为在禁用模式下操作。

3.根据权利要求1所述的功率转换器,其中,响应于第二外部开关接通,PWM控制模块的DIS引脚接地,并且小于阈值的信号被施加到DIS引脚,功率转换器被配置为在启用模式下操作。

4.根据权利要求1所述的功率转换器,其中,第二电容器的电容小于第一电容器的电容。

5.根据权利要求1所述的功率转换器,其中,PWM控制模块包括:

第一内部开关,连接在与HV引脚连接的第一功率装置和VCC引脚之间;

第一控制器,被配置为在VCC引脚的电压是预定值或大于预定值时断开第一内部开关,并被配置为通过在VCC引脚的电压小于预定值时接通第一内部开关来将HV电压提供给VCC引脚;

禁用调节器,被配置为将VCC引脚的电压和DIS引脚的电压调节为预定电压或小于预定电压;

第一比较器,被配置为将DIS引脚的电压与第一参考值进行比较;

第二比较器,被配置为将DIS引脚的电压与第二参考值进行比较;

第二内部开关,连接在VCC引脚和第一比较器之间;以及

第二控制器,被配置为通过接通第二内部开关来操作第一比较器,并被配置为根据第一比较器的比较结果来控制禁用调节器和第二比较器的操作。

6.根据权利要求5所述的功率转换器,其中,第二控制器被配置为响应于由第一比较器比较的DIS引脚的电压是第一参考值或大于第一参考值,操作禁用调节器和第二比较器。

7.根据权利要求5所述的功率转换器,其中,第二控制器被配置为响应于由第二比较器比较的DIS引脚的电压小于第二参考值,停止禁用调节器的操作,并控制功率转换器返回到启用模式并正常地操作。

8.根据权利要求5所述的功率转换器,其中,禁用调节器包括:

电源,与第一功率装置串联连接;

第二功率装置,与电源并联连接;

齐纳二极管,与电源串联连接,从而形成低功耗电路。

9.根据权利要求5所述的功率转换器,其中,第一功率装置是结栅场效应晶体管(JFET)、耗尽型MOSFET(MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管)、横向扩散型MOSFET(LDMOSFET)或者双扩散型MOSFET(DMOSFET)。

10.根据权利要求8所述的功率转换器,其中,第二功率装置是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或者双极结型晶体管(BJT)。

11.根据权利要求1所述的功率转换器,其中,PWM控制模块是单片集成电路。

12.根据权利要求1所述的功率转换器,其中,功率切换装置是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

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