[发明专利]在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法

权利要求书

1.一种在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述方法步骤如下：

一、利用等离子体氧化技术图案化自组装膜表面；

二、在图案化自组装膜表面上进行层层自组装或金/银纳米粒子的组装，构建微米级别的沟槽结构；

三、在沟槽结构的上面利用巨型磷脂泡囊的铺展制备远离基底的仿生膜。

2.根据权利要求1所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述步骤一的具体步骤为：将表面具有微图案的PDMS印章压在自组装的玻片上，进行1min~5min的氧气等离子体氧化，将PDMS印章去掉即可完成基底表面的图案化构建。

3.根据权利要求1或2所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述自组装膜为ODS自组装膜或APTES自组装膜。

4.根据权利要求3所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述ODS自组装膜的组装方法为：将玻璃基底用无水乙醇和蒸馏水各超声清洗5 min~10 min，用氮气吹干后置于等离子清洗机中处理20 s~30 s；将清洗干净的基底放入ODS的甲苯溶液中自组装2~4小时，组装结束后用甲苯清洗并氮气吹干待用。

5.根据权利要求3所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述自组装膜为ODS自组装膜时，在图案化自组装膜表面上进行层层自组装，构建微米级别的沟槽结构。

6.根据权利要求3所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述APTES自组装膜的组装方法为：将玻璃基底用无水乙醇和蒸馏水各超声清洗5 min~10 min，用氮气吹干后置于等离子清洗机中处理20 s~30 s；将清洗干净的基底放入APTES的甲苯溶液中自组装2~4小时，组装结束后用甲苯清洗并氮气吹干待用。

7.根据权利要求3所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述自组装膜为APTES自组装膜时，在图案化自组装膜表面上进行金/银胶纳米粒子的组装，构建微米级别的沟槽结构。

8.根据权利要求1所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述步骤三的具体步骤为：用移液枪移取5~10 μL 、5~15 mg/ml egg PC溶液，均匀涂覆在清洗过的ITO电极导电面上，自然干燥；使用聚四氟乙烯方槽将两片ITO电极分开，槽内充满去离子水；在两片ITO电极间施加3~10V、1~1000Hz的交流电场，经过1~4 h后，巨型磷脂囊泡形成并脱离电极；将巨型磷脂囊泡加水稀释后与pH=7的PBS等体积混合至浓度为0.5~1 mg/mL；将组装后的基底浸入泡囊溶液中，孵育1~4h，即可得到远离基底的磷脂双层膜阵列。

9.根据权利要求8所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述巨型磷脂囊泡的直径为10 μm~100μm。

10.根据权利要求1、5或7所述的在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法，其特征在于所述沟槽结构中，沟深为5nm~150 nm。