[发明专利]一种基于Flash的数据存储方法及系统

说明书

技术领域

本申请涉及数据处理技术领域，更具体地说，涉及一种基于Flash的数据存储方法及系统。

背景技术

Flash存储器由于具有存储容量大、掉电数据不丢失以及可多次擦写等多种优点而逐步取代其它半导体存储器件。Flash存储器广泛应用于移动电话、掌上电脑以及数码相机等移动电子产品中。其作为存储数据和应用程序的存储体，可以将大量数据方便、快捷地移动和交换。Flash内部分为多个存储单元块(block)，每个存储单元块又由多个页(page)组成。存储单元块是可擦除的最小单位，页是写入数据的最小单位。

Flash存储器读取数据与一般的存储器类似，可以实现随机读取且速度很快。但是，Flash存储器的写操作和一般的存储器不同，Flash的写操作必须先按存储单元块擦除，然后再按页顺序写入。由于Flash存储器擦除耗时较长，所以Flash存储器写入的时间主要在于Flash存储器内部的擦除操作。这就造成往Flash存储器里面写数据的时间过长，写速度不高。并且，频繁的对Flash存储器进行擦除会影响其使用寿命。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种基于Flash的数据存储方法及系统，用于解决现有往Flash存储器中写数据时速度不高、频繁的对Flash存储器进行擦除操作影响其使用寿命的问题。

为了实现上述目的，现提出的方案如下：

一种基于Flash的数据存储方法，包括：

分别为内存中每个部分section的数据申请缓冲区，每个缓冲区对应一个section的数据；

将所述每个section的数据写入至对应的缓冲区中；

每隔预设时间，将所述缓冲区中的数据写入闪存Flash中。

优选的，所述将所述每个section的数据写入至对应的缓冲区中，包括：

将所述每个section的数据划分为若干个单元块block数据，并将所有block数据依次写入至缓冲区；

单个所述block数据写入至缓冲区的过程为：

在一个缓冲区的缓冲地址中查找一个空闲的block；

为查找到的block创建索引标识，所述索引标识用于表示当前block所在缓冲区的缓冲地址以及在该缓冲地址中的偏移量；

将当前block所在的缓冲区的写入参数设置为第一参数，然后将一个block数据写入所述查找到的空闲的block，所述写入参数包括两个值，分别为所述第一参数和第二参数，所述第一参数表示将要对该缓冲区进行写入操作，所述第二参数表示本次写入操作成功；

检测到本次写入操作成功后：

将所述写入参数设置为所述第二参数；

将写入block数据的缓冲区的状态参数设置为第三参数，所述状态参数包括两个值，分别为所述第三参数和第四参数，所述第三参数表示该缓冲区已有数据，所述第四参数表示该缓冲区没有数据；

将写入block数据的缓冲区的存储参数确定为该写入的block数据所对应的Flash存储地址。

优选的，所述每隔预设时间，将所述缓冲区中的数据写入闪存Flash中，包括：

当达到预设时间时，检测每个所述缓冲区的写入参数和状态参数的值；

在缓冲区的写入参数为第二参数且状态参数为第三参数时，依据该缓冲区的存储参数，将该缓冲区中的block数据写入闪存Flash中指定的存储地址处。

优选的，在检测到缓冲区的写入参数为第二参数且状态参数为第三参数，将该缓冲区的数据写入闪存Flash中之后，还包括：

将该缓冲区的状态参数设置为所述第四参数。

优选的，还包括：

计算写入闪存Flash中的数据的冗余校验CRC值并保存。

一种基于Flash的数据存储系统，包括：

缓冲区申请单元，用于分别为内存中每个部分section的数据申请缓冲区，每个缓冲区对应一个section的数据；

第一写入单元，用于将所述每个section的数据写入至对应的缓冲区中；

第二写入单元，用于每隔预设时间，将所述缓冲区中的数据写入闪存Flash中。

优选的，所述第一写入单元包括：

划分单元，用于将所述每个section的数据划分为若干个单元块block数据，并将所有block数据依次写入至缓冲区；

所述划分单元包括：

查找单元，用于在一个缓冲区的缓冲地址中查找一个空闲的block；