[发明专利]双模晶体振荡器有效
申请号: | 201410276368.0 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN105207641B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 陈玟任;石丸千里 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京涉谷区笹*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双模 晶体振荡器 | ||
1.一种双模晶体振荡器,其特征在于包括:
仅1个AT切割晶体振动片,在MHz频带振动且经AT切割;
封装体,收容所述AT切割晶体振动片,且形成有供安装的安装面,所述安装面为含有长边及短边的矩形形状;
集成电路,收容在所述封装体中,所述集成电路具有:振荡电路,以所述MHz频带的频率使所述AT切割晶体振动片振荡,所述振荡电路所产生的MHz频带的频率的信号经由第一缓冲器输出;分频电路,将所述MHz频带的频率分频而生成32.768kHz的频率,所述分频电路所分频的32.768kHz的频率的信号经由第二缓冲器输出;以及选择电路,连接至所述第一缓冲器,限制自所述第一缓冲器输出的频率的信号,选择输出所述32.768kHz的频率而不输出所述MHz频带的频率的休止状态,或者选择输出所述32.768kHz的频率且输出所述MHz频带的频率的活动状态;
第一外部电极,对应于所述第一缓冲器而设置,只输出MHz频带的频率;以及
第二外部电极,对应于所述第二缓冲器而设置,只输出32.768kHz的频率;
其中,在所述活动状态下,所述第一外部电极输出所述MHz频带的频率以及所述第二外部电极输出所述32.768kHz的频率,而在所述休止状态下,所述选择电路依据控制电压来限制所述MHz频带的频率的输出,使得所述第二外部电极输出所述32.768kHz的频率而所述第一外部电极不输出所述MHz频带的频率,
其中,在所述安装面上,在所述长边延伸的方向上并排形成有3个电极,且在所述短边延伸的方向上并排形成有2个电极,
输出所述32.768kHz的频率的电极与输出所述MHz频带的频率的电极以在所述长边方向及所述短边方向彼此不相邻的方式配置。
2.根据权利要求1所述的双模晶体振荡器,其特征在于:
所述封装体在外侧面的四角部具有凹向所述封装体的内侧的齿形结构,
所述封装体在其内部在其中一所述短边上具有载置所述AT切割晶体振动片的一对载置部,
输出所述MHz频带的频率的电极配置在另一所述短边侧,输出所述32.768kHz的频率的电极配置于在所述长边延伸的方向并排的3个电极中间。
3.根据权利要求2所述的双模晶体振荡器,其特征在于:
在分别与所述一对载置部距离最近的所述齿形结构中形成有一对频率检查电极,所述频率检查电极用于确认所述AT切割晶体振动片的频率。
4.根据权利要求2或3所述的双模晶体振荡器,其特征在于:
接地的电极形成在输出所述MHz频带的频率的电极的在所述短边延伸方向上的旁边,
连接于电源的电极形成在其中一所述短边侧的角部,
对所述休止状态及所述活动状态进行切换的电极形成在所述连接于所述电源的电极的在所述短边延伸方向上的旁边。
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