[发明专利]一种半阳坡覆膜培育红芪种苗的方法在审
| 申请号: | 201410276341.1 | 申请日: | 2014-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN105265124A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
| 发明(设计)人: | 郝羽 | 申请(专利权)人: | 郝羽 |
| 主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 746000 甘肃省*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阳坡 培育 种苗 方法 | ||
1.一种半阳坡覆膜培育红芪种苗的方法,其特征在于:包括以下具体步骤:
⑴地块处理:在中性、微碱性的半阳坡地块上,除去杂物,施加农家肥2000-2500kg/亩、坡缕石粉15-25kg/亩、黄腐酸2-7kg/亩、钙镁磷肥10-15kg/亩,将50%辛硫磷乳剂0.2-0.3g/亩拌入油渣20-25kg/亩后,施加在地块上,深耕45-50cm,耙平整细,按东西方向起垄,垄面宽25-30cm,垄高10-15cm,垄沟宽35-40cm,每垄两侧面开沟,沟深3-5cm;
⑵播种覆膜:选色泽鲜艳、籽粒饱满、无病虫害的种子,种子量为5.5-6.5kg/亩,放入30-60℃温水中,浸泡3-4h,取出后拌入种子量2倍的细砂揉搓种皮,待种子外皮破裂稍露白,播入地块垄侧沟内,覆土1-2cm,选用宽40-50cm的黑白双面膜覆盖垄面。
⑶苗期管理:苗出齐后当高3~4cm时,膜上开孔,进行第一次松土间苗,苗高8~10cm时间苗,苗高15~20cm时定苗,苗间距25-30cm。
2.如权利要求1所述的一种半阳坡覆膜培育红芪种苗的方法,其特征在于:所述的黑白双面膜厚度为0.02-0.025mm,覆盖时白面向上,黑面向下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郝羽,未经郝羽许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410276341.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





