[发明专利]NAND Flash操作处理方法、装置及逻辑器件

说明书

技术领域

本发明涉及通信领域，具体而言，涉及一种NANDFlash操作处理方法、装置及逻辑器件。

背景技术

目前比较常见的非易失性存储器包括NORFlash(NOR闪存)和NANDFlash(NAND闪存)两种，相比于NORFlash，NANDFlash存储器具备写入速度比NORFlash存储器快很多、擦除速度远比NORFlash存储器快、单片容量较大、单位存储容量成本低等优点，适用于大量数据的存储。由于技术发展需求和成本方面的原因，NANDFlash已经在各种电子产品中有很广泛的应用。

在各种选用NANDFlash的场合中，来自软件的不当操作有可能导致NANDFlash被错误地擦除，会造成比较严重的后果，尤其是当用于系统引导的Boot和系统运行版本被错误擦除时甚至可能导致系统无法启动。

因此，在相关技术中，NANDFlash存在被错误擦除与写入引起的不可靠的问题。

发明内容

本发明提供了一种NANDFlash操作处理方法、装置及逻辑器件，以解决相关技术中NANDFlash存在被错误擦除与写入引起的不可靠的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种NANDFlash操作处理方法，包括：建立对NANDFlash保护区进行保护的地址保护表；判断对所述NANDFlash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中；在判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NANDFlash的操作。

优选地，建立对所述NANDFlash保护区进行保护的所述地址保护表包括：对所述NANDFlash保护区的不同区域进行保护的重要程度划分级别；依据划分级别后的所述不同区域对应的地址，建立地址保护表。

优选地，在建立对所述NANDFlash保护区进行保护的所述地址保护表之后，还包括：对所述地址保护表进行更新。

优选地，判断对所述NANDFlash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中包括：解析来自中央处理器CPU的对所述NANDFlash进行操作的信号命令；比较所述信号命令所针对的所述NANDFlash的地址与所述地址保护表中的地址是否匹配；在匹配的情况下，确定对所述NANDFlash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中。

优选地，屏蔽对所述NANDFlash的操作包括：判断对所述NANDFlash的操作的操作类型是否为修改操作；在判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NANDFlash的操作。

根据本发明的另一方面，提供了一种NANDFlash操作处理装置，包括：建立模块，用于建立对NANDFlash保护区进行保护的地址保护表；判断模块，用于判断对所述NANDFlash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中；屏蔽模块，用于在所述判断模块的判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NANDFlash的操作。

优选地，所述建立模块包括：划分单元，用于对所述NANDFlash保护区的不同区域进行保护的重要程度划分级别；建立单元，用于依据划分级别后的所述不同区域对应的地址，建立地址保护表。

优选地，该装置还包括：更新模块，用于对所述地址保护表进行更新。

优选地，所述判断模块包括：解析单元，用于解析来自中央处理器CPU的对所述NANDFlash进行操作的信号命令；比较单元，用于比较所述信号命令所针对的所述NANDFlash的地址与所述地址保护表中的地址是否匹配；确定单元，用于在匹配的情况下，确定对所述NANDFlash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中。

优选地，所述屏蔽模块包括：判断单元，用于判断对所述NANDFlash的操作的操作类型是否为修改操作；屏蔽单元，用于在所述判断单元的判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NANDFlash的操作。

根据本发明的再一方面，提供了一种逻辑器件，包括上述任一项所述的装置。

通过本发明，采用建立对NANDFlash保护区进行保护的地址保护表；判断对所述NANDFlash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中；在判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NANDFlash的操作，解决了相关技术中NANDFlash存在被错误擦除与写入引起的存储不可靠的问题，进而达到了不仅能够有效避免重要存储区域被损坏，而且有效地提高了NANDFlash存储数据的可靠性的效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：