[发明专利]射频前端装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子通信技术器件领域，尤其涉及一种射频前端装置。

背景技术

射频前端装置是手持移动通信产品(例如手机)的重要组成部分之一，其位于靠近手持移动通信产品天线的位置，关系到手持移动通信产品射频信号的接收和发射，其性能的好坏直接决定了手持移动通信产品通信质量的好坏。下面，结合图1对现有技术中常见的射频前端装置的结构进行介绍。请参考图1，图1是现有技术中常见的射频前端装置的结构示意图，该射频前端装置适用于在两个不同频段上工作的手持移动通信产品。如图所示，该射频前端装置包括低频功率放大器(图中以LB PA表示)、低频匹配网络、高频功率放大器(图中以HB PA表示)、高频匹配网络以及射频开关。其中，低频功率放大器和低频匹配网络构成低频发射路径，高频功率放大器和高频匹配网络构成高频发射路径，射频开关采用单刀四掷开关，该单刀四掷开关分别用S1、S2、S3以及S4表示，其中，低频发射路径(通过发射端Tx_LB)与S1连接，高频发射路径(通过发射端Tx_HB)与S2连接，S3(通过接收端Rx_LB)与低频接收路径连接，S4(通过接收端Rx_HB)与高频接收路径连接。具体地，当S1闭合，S2、S3以及S4断开时，射频前端装置工作在低频信号发射状态下，低频信号通过低频发射路径到达S1后由天线进行发射；当S3闭合，S1、S2以及S4断开时，射频前端装置工作在低频信号接收状态下，天线接收的射频信号到达S3后进入低频接收路径；当S2闭合，S1、S3以及S4断开时，射频前端装置工作在高频信号发射状态下，高频信号通过高频发射路径到达S2后由天线进行发射；当S4闭合，S1、S2以及S3断开时，射频前端装置工作在高频信号接收状态下，天线接收的射频信号达到S4后进入高频接收路径。

通过上述描述可知，射频开关的作用主要是在不同的频段之间以及信号发射与接收之间进行功能切换并提供足够高的隔离度。需要说明的是，在射频开关工作的过程中，射频开关需要通过较大功率的信号，承受的电压也较高。这样就需要设计能够承受功率较高和电压摆幅较大的射频开关，否则将会导致射频开关的击穿损坏。

由于SOI工艺具有绝缘衬底和较高的功率承受容量，因此，在现有技术中，通常采用SOI工艺来实现射频开关以满足上述设计要求。但是，采用SOI工艺的射频开关仍存在以下的不足之处：

第一、相较于CMOS等工艺，SOI工艺的实现成本较高，也就是说，采用SOI工艺实现射频开关将相应导致整个射频前端装置成本的提高；

第二、功率放大器设计的趋势是采用CMOS工艺，由于SOI工艺与CMOS工艺之间存在一定的差异性，因此，采用SOI工艺的射频开关与采用CMOS工艺的功率放大器无法集成在一起，不利于产品集成度的提高。

发明内容

为了克服现有技术中的上述缺陷，本发明提供了一种射频前端装置，该射频前端装置包括至少两路射频收发通路，每一所述射频收发通路包括功率放大器、匹配网络、开关组以及滤波器，其中：

所述功率放大器的输入端输入射频信号，以及该功率放大器的输出端连接所述匹配网络的输入端；

所述开关组包括第一单刀单掷开关、第二单刀单掷开关以及隔直器件；

所述第一单刀单掷开关的一端连接所述匹配网络的输出端，所述第一单刀单掷开关的另一端分别与所述滤波器的输入端以及所述隔直器件的一端连接，所述隔直器件的另一端分别与所述第二单刀单掷开关的一端以及射频信号接收端连接，所述第二单刀单掷开关的另一端接地。