[发明专利]电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备有效
| 申请号: | 201410238832.7 | 申请日: | 2014-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN104244485B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 野泽陵一;腰原健;佐藤久克 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H05B33/02 | 分类号: | H05B33/02;H05B33/04;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电光 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
本发明提供一种电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。电光装置具有第一像素、第二像素。第一像素、第二像素包含反射层、绝缘层、功能层、以及对置电极。绝缘层包含第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层。在第二绝缘层设置第一开口。在第一开口中将第一像素电极设置在第一绝缘层上。在第三绝缘层设置有第二开口。在第二开口中将第二像素电极设置在第二绝缘层上。本发明能够按照每个像素取出所希望的共振波长的光,并具有优良的光学特性。
技术领域
本发明涉及电光装置、该电光装置的制造方法以及电子设备。
背景技术
作为电光装置,公开有具备如下构造的电光装置及其制造方法,该电光装置具有射出相互不同的波长的光的第一像素、第二像素、第三像素,且具备第一像素、第二像素、第三像素的光学距离调整层的膜厚满足第一像素>第二像素>第三像素的关系的光共振构造(专利文献1)。
根据专利文献1的电光装置的制造方法,示出如下的例子,形成用于构成上述光学距离调整层的透光膜,在该透光膜上形成膜厚满足第一像素>第二像素>第三像素的关系的掩模。之后,组合分段性地灰化去除膜厚不同的掩模的工序、和蚀刻通过灰化而露出的透光膜的工序,形成膜厚满足第一像素>第二像素>第三像素的关系的上述光学距离调整层。
专利文献1:日本特开2009-134067号公报
若要在各第一像素、第二像素、第三像素中获取所希望的共振波长的光,需要分别在第一像素、第二像素、第三像素中高精度地实现光学距离调整层的膜厚。然而,在上述专利文献1的电光装置的制造方法中,存在难以高精度地蚀刻透光膜的课题。作为其理由,例如列举若在上述分阶段的灰化中,相对于适当的灰化量产生过多与不足,则在灰化后的掩模的膜厚中产生偏差,而不能够在整个所希望的范围内以适当的蚀刻量蚀刻透光膜。另外,例如还可以列举,难以实现稳定的蚀刻条件(蚀刻速度等),蚀刻后的透光膜的膜厚容易产生偏差。
此外,存在想要尽可能减小像素间的阶梯差,抑制横跨像素间的阶梯差的布线、电极中的电阻的上升的课题。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的,能够作为以下的方式或者应用例来实现。
应用例
本应用例的电光装置具有基板、形成在上述基板上的第一像素、以及与上述第一像素相邻的第二像素,上述第一像素包含具有光反射性的反射层、具有光反射性以及透光性的对置电极、设置在上述反射层与上述对置电极之间的绝缘层、第一像素电极、以及包含发光层的功能层,上述第二像素包含上述反射层、上述对置电极、设置在上述反射层与上述对置电极之间的上述绝缘层、第二像素电极以及上述功能层,上述绝缘层包含从上述反射层侧依次层叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,在上述第二绝缘层设置有第一开口,将上述第一像素电极在上述第一开口中设置在上述第一绝缘层上,在上述第三绝缘层设置有包含上述第一开口的第二开口,将上述第二像素电极在上述第二开口中与上述第一像素电极相邻地设置在上述第二绝缘层上。
根据本应用例的结构,在反射层与第一像素电极之间存在第一绝缘层,在反射层与第二像素电极之间存在第一绝缘层和第二绝缘层。另外,在相邻的第一像素电极与第二像素电极之间存在第一绝缘层和第二绝缘层。因此,反射层和第一像素电极之间的上述绝缘层的第一膜厚、与反射层和第二像素电极之间的上述绝缘层的第二膜厚不同,且第一像素电极和第二像素电极之间的区域的上述绝缘层的第三膜厚与上述第二膜厚大致相同。
因此,与像专利文献1那样分阶段地蚀刻透光膜,使光学距离调整层中的光学距离按照每个像素而不同的情况相比,不用蚀刻第一绝缘层,在形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层时使它们成为所希望的膜厚即可。即,能够提供能够高精度地调整每个像素的光共振构造中的光学距离,且能够在第一像素与第二像素中获取各自所希望的共振波长的光的电光装置。
应用例
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