[发明专利]一种全光纤型磁场传感器在审

专利信息
申请号: 201410232444.8 申请日: 2014-05-28
公开(公告)号: CN104020424A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 赵志勇;朱冬宏;田群;周金龙 申请(专利权)人: 江苏金迪电子科技有限公司
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 任立
地址: 212215 江苏省镇*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 光纤 磁场 传感器
【权利要求书】:

1.一种全光纤型磁场传感器,包括顺次连接的宽带光源、传感头及光谱仪,其特征在于:所述的传感头由不超过1cm的光子晶体光纤与单模光纤熔接而成,其中:

所述的光子晶体光纤的空气孔中填充有磁流液,所述的单模光纤包括第一单模光纤和第二单模光纤,所述填充有磁流液的光子晶体光纤一端通过光纤熔接机的熔接与第一单模光纤熔接,另一端通过光纤熔接机的熔接与第二单模光纤偏心熔接构成一个单纤内嵌的马赫曾德干涉仪;

所述的宽带光源输出的光经第一单模光纤耦合到填充有磁流液的光子晶体光纤中,外界磁场发生变化时,引起耦合到光子晶体光纤中的不同光束之间相位差的变化,导致光谱漂移,经光子晶体光纤传播又耦合到第二单模光纤,由连接在第二单模光纤上的光谱仪检测波峰/波谷的漂移量解调出磁场的信息,实现对磁场的测量;

所述填充有磁流液的光子晶体光纤通过光纤熔接机与单模光纤熔接时,所述熔接机的放电强度为30mA,放电时间500ms。

2.根据权利要求1所述的全光纤型磁场传感器,其特征在于:所述光子晶体光纤的空气孔中填充的磁流液为包含纳米铁磁粒子的磁流体并采用高压挤压的方式填充到光子晶体光纤中。

3.根据权利要求1所述的全光纤型磁场传感器,其特征在于:所述单模光纤的纤芯直径为2-12μm。

4.根据权利要求1所述的全光纤型磁场传感器,其特征在于:所述光子晶体光纤与单模光纤的熔接方式为错位熔接、双锥体放电熔接或锥形熔接。

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