[发明专利]一种输出电压可调的电压变换器芯片有效
申请号: | 201410231036.0 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN103973116A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 甘戈 | 申请(专利权)人: | 钰泰科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 邓琪 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输出 电压 可调 变换器 芯片 | ||
1.一种输出电压可调的电压变换器芯片,其包括具有一电压误差放大器电压变换电路以及一EN管脚,其特征在于,所述电压变换器芯片还包括:
一反馈基准电平调制单元,其通过所述EN管脚接收一外围CPU输出的PWM信号,并通过该PWM信号对所述电压变换电路的一内部反馈基准电平进行调制滤波,以向所述电压误差放大器的负输入端输出一调制反馈基准电平,且该调制反馈基准电平等于所述内部反馈基准电平与PWM信号的占空比的乘积。
2.根据权利要求1所述的输出电压可调的电压变换器芯片,其特征在于,所述反馈基准电平调制单元包括:反相器、第一PMOS管、第一NMOS管、第一电阻和第一电容,其中,
所述反相器的输入端与所述EN管脚连接,其输出端与所述第一PMOS管和第一NMOS管的栅极连接;
所述第一PMOS管的源极接收所述内部反馈基准电平,其漏极与所述第一NMOS管的漏极连接,该第一NMOS管的源极接地;
所述第一电阻的一端连接至所述第一PMOS管和第一NMOS管的漏极之间,其另一端与所述第一电容的一端连接,该第一电容的另一端与所述第一NMOS管的源极连接,且所述电压误差放大器的负输入端连接至所述第一电阻与第一电容之间。
3.根据权利要求1或2所述的输出电压可调的电压变换器芯片,其特征在于,所述电压变换器芯片还包括一使能检测单元,其与所述EN管脚连接,以对所述PWM信号的高低进行检测,并产生用于控制所述电压变换器芯片启停的使能信号。
4.根据权利要求3所述的输出电压可调的电压变换器芯片,其特征在于,所述使能检测单元包括:缓冲器、计时器和RS触发器,其中,
所述缓冲器的输入端与所述EN管脚连接,其输出端分别与所述计时器的使能端以及所述RS触发器的置位端连接;所述计时器的输出端与所述RS触发器的复位端连接,所述RS触发器的输出端输出所述使能信号。
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